磁束貫通法の英語

磁気回路を形成すべき領域については、磁束の飽和を回避するため磁束が貫通する領域の断面積がほぼ一定となるように寸法を決定する。例文帳に追加

For a region where a magnetic circuit must be formed, dimension is determined so as to almost fix a sectional area of the region inserting a magnetic flux for avoiding its saturation. - 特許庁

磁気回路を形成すべき領域については、磁束の飽和を回避するため磁束が貫通する領域の断面積がほぼ一定となるように寸法を決定する。例文帳に追加

For a region where a magnetic circuit must be formed, the dimension is determined so as to almost fix a cross-sectional area of the region inserting a magnetic flux for avoiding its saturation. - 特許庁

磁気回路を形成すべき領域については、磁束の飽和を回避するため磁束が貫通する領域の断面積がほぼ一定となるように寸法を決定する。例文帳に追加

The dimension of an area in which a magnetic circuit is to be formed is determined so that the cross sectional area of the area through which magnetic fluxes penetrate is generally constant to avoid the saturation of the magnetic fluxes. - 特許庁

磁気回路を形成すべき領域については、磁束の飽和を回避するため磁束が貫通する領域の断面積がほぼ一定となるように寸法を決定する。例文帳に追加

As for the domain which should form a magnetic circuit, the size is determined so that the cross section area of the domain which the magnetic flux penetrates is almost constant in order to avoid the saturation of magnetic flux. - 特許庁

この熱処理方法は、貫通孔の位置が一致するように複数のワーク３２を積層する積層工程と、積層された複数のワーク３２の各貫通孔を貫くように設置されたコア３０に交番磁束を発生させることで、各ワーク３２の電流経路に電流を誘導してワーク３２を加熱する加熱工程と、を有する。例文帳に追加

The method for heat treatment includes: a layering step of layering a plurality of workpieces 32 so that the positions of the through-holes are matched with each other; and a heating step of inducing the current in the current path of each workpiece 32 and heating the workpieces 32 by generating the alternating magnetic flux in a core 30 installed so as to pass each through-hole of the plurality of layered workpieces 32. - 特許庁

導電性膜に誘起される磁束の変化をモニタして研磨完了時点を予測する方法において、渦電流によるジュール熱損を極小に抑えるとともに、デバイスウェーハを貫通しない程度の微細な磁場であっても、十分に精度よく研磨完了時点を予測し検知する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for predicting a polish completion point of time by monitoring a change of a magnetic flux induced in a conductive film, wherein a joule heat loss by an eddy current is minimized, and the polish completion point of time is sufficiently accurately predicted and detected even if a magnetic field is fine so as not to pass through a device wafer. - 特許庁