磁気集束電子ビームの英語

電子ビーム発生装置２５の近傍や真空槽１０の内部に設置した複数の磁気検出器４１〜４６の出力に応じて電子ビーム偏向電極３１を駆動し、磁場変動による電子ビームの偏向を打消す方向へ電子ビームを偏向させることによって、磁場変動による電子ビームの集束スポットの原盤２１上の位置ずれを補正する。例文帳に追加

Depending on the outputs from a plurality of magnetic detectors 41-46 disposed in the vicinity of an electron beam generator 25 or in a vacuum tank 10, an electron beam deflection electrode 31 is driven to deflect an electron beam in the direction for canceling deflection of electron beam due to variation of magnetic field thus correcting positional shift of an electron beam spot focused on an original board 21 due to variation of magnetic field. - 特許庁

薄膜磁気ヘッドの製造において、媒体対向面から集束イオンビームにより、磁極の加工を行う際に、高精度で且つ高速な位置決めと、媒体対向面から、電子ビーム露光を行う際に、高精度で且つ高速な露光位置決め方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for performing positioning with high accuracy and at high speed, when a magnetic pole is worked by a convergent ion beam from a medium-facing surface and to provide a method for performing exposure positioning with high accuracy and at a high speed, when electron beam exposure is performed from the medium facing surface, in the manufacture of a thin-film magnetic head. - 特許庁

トンネル磁気抵抗膜１２の接合部に関わる微細構造を集束イオンビーム（ＦＩＢ）描画を用いたリソグラフィプロセスにより形成することにより、反射電子による形状の劣化や、チャージアップによる静電破壊という問題を防ぐことが可能となる。例文帳に追加

The microstructure regarding a junction part of a tunnel magneto-resistance film 12 is formed by a lithography process using focused ion beam(FIB) drawing to prevent the problems of deterioration in shape caused by reflected electrons and electrostatic breakdown due to charging-up. - 特許庁