磨満の英語

研磨後の表面状態として要求される特性を満たすとともに、研磨速度を向上させることができる研磨組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition that satisfies characteristics required as a surface state after polishing, and can improve a polishing speed. - 特許庁

プラナリティー向上とスクラッチ低減を両立できる研磨パッド、さらには研磨速度の観点でも満足できる研磨パッドを提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing pad that enables both a planarity improvement and scratch reduction, and also satisfy a viewpoint of a scouring speed. - 特許庁

ウェーハなどのような被研磨対象の表面の平坦性と、被研磨対象面内での研磨量の均一性とを同時に満足させることができる研磨装置および研磨方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing device and a polishing process capable of simultaneously satisfying flatness of a surface of a polishing object such as a wafer and uniformity of polishing quantity within a polishing objective surface. - 特許庁

金属製ラッピング用定盤上に下記（１）〜（３）を満足する研磨パッドを貼り付け、被研磨物と該研磨パッドの間に研磨用砥粒を供給してラッピングすることを特徴とする被研磨物のラッピング方法。例文帳に追加

The method for lapping an object to be polished includes providing a polishing pad stuck on a metal-made surface plate for lapping, the polishing pad satisfying the following (1)-(3) conditions; and supplying abrasive grains for polishing between the object to be polished and the polishing pad to perform lapping. - 特許庁

ショア硬さ３０未満の柔軟材の上に、研磨材を含有しない厚さ７５μｍ未満のフィルムが有り、このフィルムの上面に研磨材が有る研磨盤を用意する。例文帳に追加

Prepared is a burnishing machine which has a film of 75 μm in thickness, containing no abrasive, on a soft material of ≤30 in Shore hardness and has abrasives on the top surface of the film. - 特許庁

銅を含む膜の研磨およびバリア膜の研磨に適用可能であり、各膜の研磨で起こりうる各種の課題を解決しつつ、平坦性を満足できるレベルで、かつ、適正な研磨時間で研磨することができる研磨剤の提供。例文帳に追加

To provide an abrasive powder which can be applied to the polishing of a film containing copper and a barrier film, and can polish the respective films to the level capable of satisfying the flatness in a proper polishing time, while solving the miscellaneous problems which may occur when polishing the respective films. - 特許庁

金属膜付基板の研磨方法であって、ｐＨが１以上７未満の範囲である研磨液を用いる酸性研磨工程と、その後にｐＨが７を超えて１４以下の範囲である研磨液を用いるアルカリ研磨工程とを含む研磨方法を提供する。例文帳に追加

This polishing method of the base board with the metallic film provides a polishing method including an acid polishing process of using a polishing liquid having pH being a range of 1 to 7, and an alkaline polishing process of using a polishing liquid having pH being a range of 7 to 14 thereafter. - 特許庁

半導体集積回路装置の製造において被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤であって、前記研磨剤が、酸化セリウム砥粒と分子量６００以下の酸と水とを含有し、ｐＨが２以上、４未満の範囲にあることを特徴とする研磨剤を提供する。例文帳に追加

The grinding material contains cerium oxide abrasive grains, an acid with a molecular weight of 600 or less, and water, and shows pH of 2 or higher and less than 4. - 特許庁