空乏領域の英語

その電界保持領域２８は、第１電界保持部分領域２４と、非空乏化部分領域２５と、第２電界保持部分領域２６を備えている。例文帳に追加

The electric field holding area 28 comprises a first electric field holding partial area 24, an undepleted partial area 25, and a second electric field holding partial area 26. - 特許庁

２次元電子ガス領域１６におけるドレイン電極１１とソース電極１２との間の一部には、空乏化部１８により空乏化された空乏領域１７が形成されている。例文帳に追加

A depletion region 17 depleted by a depletion part 18 is formed in a part between a drain electrode 11 and a source electrode 12 in the two-dimensional electron gas region 16. - 特許庁

ゲートは、少なくともチャネル領域及び分離領域とオーバラップする領域に、ゲート・ドーパントが実質的に空乏状態にされた領域３４を含み、空乏領域３４の下方のチャネル角部領域のしきい値電圧が、角部領域間のチャネル領域に比較して増加する。例文帳に追加

The gate includes a region where the gate dopant is substantially depleted at least in a region where the channel region and the isolating region overlap and the threshold voltage in the channel corner region beneath the depletion region 34 increases as compared with the channel region between corner regions. - 特許庁

Ｐ＋型領域を設けて、Ｐ＋型領域とその周りの空乏領域には低ＶＦのショットキー金属層をコンタクトさせ、空乏領域間のＮ型基板表面には低ＩＲショットキー金属層をコンタクトさせる。例文帳に追加

With a forward bias, a current flows on the low-VF metal layer. - 特許庁

トンネル領域を有する半導体不揮発性メモリにおいて、トンネル領域の周囲部分は掘り下げられており、掘り下げられたドレイン領域には、空乏化電極絶縁膜を介して、トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に与えることが可能な空乏化電極を配置する。例文帳に追加

In the semiconductor nonvolatile memory having a tunnel region, the peripheral portion of the tunnel region is dug down, and a depletion electrode for being capable of freely applying a potential for depleting a part of the tunnel region to the tunnel region through a depletion electrode insulating film is arranged in the dug-down drain region. - 特許庁

さらに、真性コレクタ領域内のベース層近傍位置及び外部コレクタ領域にそれぞれ空乏層３２を形成し、かつ、外部コレクタ領域に形成された空乏層の厚さが真性コレクタ領域内に形成された空乏層の厚さの２倍以上でかつ３倍以下に設定している。例文帳に追加

Furthermore, depletion layers 32 are respectively formed adjacent to the base layer in the intrinsic collector region and in the outer collector region thereof, and the thickness of the depletion layer formed in the outer collector region is set at two times or more and three times or less that formed in the intrinsic collector region. - 特許庁

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。例文帳に追加

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages. - 特許庁

窒素雰囲気下で９００℃から１０００℃の間の温度でｅｘ−ｓｉｔｕの急速熱アニールを行うことで、空乏領域幅をそのｉ領域の厚さまで増やし広い空乏領域のＩｎＧａＡｓＮ層を形成する。例文帳に追加

In this invention, an ex-situ rapid thermal annealing is applied at a temperature of 900°C to 1000°C under a nitrogen atmosphere to increase a depletion region width up to the thickness of the i-th region, thereby forming an InGaAsN layer of a wide depletion region. - 特許庁