立方晶系の英語

立方晶系錫−タンタル複合酸化物とその製造方法例文帳に追加

CUBIC TIN-TANTALUM COMPOUND OXIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

放熱基板５は、立方晶系の結晶系から成る熱伝導率の高い単結晶基板や多結晶基板で構成する。例文帳に追加

The heat radiation substrate 5 is composed of a single-crystal substrate or polycrystalline substrate with high heat conductivity which is made of a crystal system of a cubic system. - 特許庁

強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり、且つ下部電極に平行な結晶面が（１１０）面方位に優先配向している。例文帳に追加

The crystal of the ferroelectric film is a pseudo cubic crystal system or a crystal system in which at least two among the pseudo cubic crystal system, a rhombohedral system or pyramidal quadratic system co-exist and the crystal face parallel to the lower electrode preferentially orients to a (110) face bearing. - 特許庁

立方晶系結晶構造を持つ活性光学セラミックス、それらの製造および使用例文帳に追加

ACTIVATED OPTICAL CERAMIC HAVING CUBIC SYSTEM CRYSTAL STRUCTURE, PRODUCTION AND USE THEREOF - 特許庁

立方晶系の結晶構造を持つ金属材料に対して塑性歪を測定する。例文帳に追加

To measure plastic strain for a metallic material having a cubic system crystal structure. - 特許庁

また、本複合セラミックスは、ラマン分光分析において、ジルコニアの立方晶系のピーク、正方晶系のピーク及び単斜晶系のピークのうち少なくとも立方晶系のピーク及び正方晶系のピークを示すことが好ましい。例文帳に追加

Preferably, among the cubic system peak, the tetragonal system peak, and the monoclinic system peak of zirconia, at least the cubic system peak and the tetragonal system peak are displayed in the Raman spectroscopic analysis of the composite ceramic. - 特許庁

結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR GROWING CRYSTAL, CUBIC III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。例文帳に追加

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity. - 特許庁