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粒成長速度の英語
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英訳・英語 grain growth kinetics
「粒成長速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
成長基板或いは成長粒子発生装置4の一方を、成長粒子6の飛翔速度の10%以上の速度で相対的に運動させた状態で成長層3を成長させる。例文帳に追加
A growth layer 3 is grown while relatively moving either of the substrate for growth or a device for generating particles for growth 4 with a speed of at least 10% of the flight speed of particles 6 for growth. - 特許庁
トーナメント状の経路の折れ曲がっている部分で、成長速度の大きい結晶粒によって、いくつかの結晶核から成長してきた成長速度の小さい結晶粒はアイランドの端に追いやられて成長が止まり、さらに、経路と経路とが合流する部分では、より成長速度の大きい結晶粒のみが先へ成長していく。例文帳に追加
At the bent section of the path is tournament form, the crystal grains small in growth speed, having grown from some crystal nuclei, are driven to the end of an island by the crystal grains large in growth speed, and the growth is stopped; and further at a section where a path and a path joint together, only the crystal grains larger in growth speed grow forward. - 特許庁
生産効率に優れ、粒子成長速度が速く、粒子径が均一で安定なシリカゾルおよびシリカ系複合酸化物ゾルを製造する。例文帳に追加
To manufacture a silica sol and silica-base multiple oxide sol which are high in a particle growth rate and are uniform in particle diameters with high production efficiency. - 特許庁
そして、微粒子集合体3の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置5を微粒子分散液2の側へ移動させることにより、微粒子集合体3の成長端4を微粒子分散液2の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加
By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁
屈折率を調整する添加剤の供給流量をガラス微粒子堆積体14の成長速度の変化に対応して調整する。例文帳に追加
The quantity of an additive to be supplied to adjust the refractive index is adjusted corresponding to the change of the growth rate of the glass particle deposits 14. - 特許庁
膜の成長速度の速く、欠陥部分の少ない均一な膜を形成できる超微粒子の成膜方法およびその装置を提供する。例文帳に追加
To provide a film deposition method for hyperfine particles by which a uniform film having reduced defective parts can be deposited at a high film growing rate, and to provide a system therefor. - 特許庁
ビレットを次いで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。例文帳に追加
The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth. - 特許庁
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「粒成長速度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
ガラス棒23に堆積したガラス微粒子堆積体31の成長速度又は表面温度の測定値に基づいて、ガラス棒23の回転速度を制御する。例文帳に追加
The rotation speed of the glass rode 23 is controlled based on the measured value of the growth rate or the surface temperature of a glass fine particle deposited body 31 deposited on the glass rod 23. - 特許庁
結晶粒のサイズが小さくて均一な良質の強誘電体薄膜を、MOCVD法を用いて短時間(高い成長速度)で成長することを可能にする。例文帳に追加
To provide a method for growing a ferroelectric thin film of high quality consisting of crystal grains with small and uniform sizes, with a MOCVD technique in a short period of time (with a high growth rate). - 特許庁
前記シリコン膜を形成する工程は、アモルファスシリコンを堆積させる第1工程と、アモルファスシリコンを堆積させると共にシリコン結晶粒を生成し、前記シリコン結晶粒の成長速度よりも前記アモルファスシリコンの堆積速度を高くする第2工程と、を有する。例文帳に追加
The step of forming the silicon film includes a first step of depositing amorphous silicon, and a second step of producing silicon crystal grains with the deposition of the amorphous silicon, and of setting the deposition rate of the amorphous silicon higher than the growth rate of the silicon crystal grains. - 特許庁
PFAテフロン(登録商標)シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。例文帳に追加
By the method, it becomes possible to rapidly and easily perform the crystal growth test or the crystal dissolution rate measurement of minerals or metals in various environments without selecting a test place, and further, the method can be applied to a simple measurement in the order of micrometer. - 特許庁
最終的には、最も成長速度の大きい結晶粒が1本の最終経路部10dから目標領域11にまで到達して、目標領域11に大傾角粒界のない単一ドメインが形成される。例文帳に追加
Finally, the crystal grains which have highest growth rate reach the objective region 11 from one final path 10d, and a single domain having no large-angle grain boundary is made in the objective region 11. - 特許庁
多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができ、溶融させない試料部分(種結晶部分)を短くし、かつ温度勾配の制約が少なく、十分に遅い冷却速度で単結晶を成長させることができ、試料による腐食や試料との反応や合金形成を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加
To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles, shortening an un-melted specimen part (a seed crystal), having less limitation in temperature gradient and capable of growing the single crystal at a sufficiently slow cooling rate and inhibiting a corrosion by the specimen, a reaction with the specimen and formation of an alloy. - 特許庁
銅電解質溶液の温度を25度Cより下に低くすることにより、自己アニーリングによる結晶粒の成長速度を増加して、銅線の最終的抵抗率を低下させる。例文帳に追加
By reducing the temperature of the copper electrolyte solution below 25°C, the rate of self annealing grain growth increases reducing the final resistivity of the copper lines. - 特許庁
気相軸付け法により生じたガラス微粒子を高速度で効率良く堆積させ、多孔質母材を安定して成長させることのできる光ファイバ母材の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing an optical fiber preform, by which the glass particulates formed by a vapor-phase axial deposition method can be efficiently deposited at a high speed, and a porous preform can be stably grown. - 特許庁
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