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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > 絶縁基板厚さの英語・英訳 

絶縁基板厚さの英語

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英訳・英語 base material thickness


機械工学英和和英辞典での「絶縁基板厚さ」の英訳

絶縁基板厚さ


「絶縁基板厚さ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 620



例文

特に、補強部材は絶縁基板よりもさを有する。例文帳に追加

Specially, the reinforcing member is thicker than the insulating substrate. - 特許庁

絶縁基板1の内部に、該絶縁基板1のみを貫くサーマルビアホール8を複数配置した回路基板10である。例文帳に追加

The circuit board 10 comprises a plurality of the thermal via holes 8 which are formed in an insulation substrate 1 and extended through the thickness of the insulation substrate 1. - 特許庁

また、前記一方の絶縁基板さは、前記他方の絶縁基板さより薄くしたことを特徴とする。例文帳に追加

The thickness of the former insulative substrate is characteristically thinner than that of the latter insulative substrate. - 特許庁

絶縁膜12A,12Bは、さが異なり、絶縁膜12Bは基板10上で最も薄いゲート絶縁膜である。例文帳に追加

The thickness of the insulating films 12A, 12B differ each other and the thickness of the insulating film 12B is the thinnest gate insulating film on the substrate 10. - 特許庁

そして、第1の絶縁膜2がエッチングされた基板1上に、第1の絶縁膜2と異なる膜の第2の絶縁膜を形成する。例文帳に追加

Then, a second insulating film having a film thickness different from that of the first insulating film 2 is formed on the substrate 1 on which the first insulating film 2 is etched. - 特許庁

放熱側絶縁基板32の板を冷却側絶縁基板31の板よりもくしたことで、放熱側絶縁基板32の剛性が高くなりその絶縁基板32に接合された底板11aの膨張が抑えられ、冷却側絶縁基板31の剛性が小さくなり該絶縁基板31の収縮が抑えられる。例文帳に追加

Since the heat dissipation-side insulated substrate 32 is made thicker than the cooling-side insulated substrate 31, the rigidity of the heat dissipation-side insulated substrate 32 is increased and the expansion of the bottom plate 11a bonded to the insulated substrate 32 is suppressed, whereby the rigidity of the cooling-side insulated substrate 31 is decreased and the contraction of the insulated substrate 31 is suppressed. - 特許庁

例文

絶縁基板2の総みは、例えば、0.1mm以下に設定される。例文帳に追加

The overall thickness of the insulating substrate 2 is set to 0.1 mm or less, for example. - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「絶縁基板厚さ」の英訳

絶縁基板厚さ


日英・英日専門用語辞書での「絶縁基板厚さ」の英訳

絶縁基板厚さ


Weblio専門用語対訳辞書での「絶縁基板厚さ」の英訳

絶縁基板厚さ

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「絶縁基板厚さ」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 620



例文

少なくとも一方の絶縁基板22をケミカル研磨法により所望の基板さに薄板化する。例文帳に追加

At least one insulation substrate 22 is made to be a thin plate having a desired substrate thickness by a chemical polishing method. - 特許庁

絶縁基板10の種類を選択することにより絶縁基板10上の抵抗体15のみを絶縁基板10の種類に応じて変化させることができる。例文帳に追加

The thickness of the resistor 15 on the insulating substrate 10 can be changed, according to a type of the insulating substrate 10 by choosing the type of the insulating substrate 10. - 特許庁

薄い板(t1)を持つ第1の絶縁基板21aとい板(t2)を持つ第2の絶縁基板21bとを貼り合わせ、且つ薄い部分33が点在し、い部分が格子状に延在する大判基板32を準備する。例文帳に追加

A first insulating board 21a having thin plate thickness t1 and a second insulating board 21b having thick plate thickness t2 are pasted to prepare a large board (32) having lattice-like thick part dotted with thin parts 33. - 特許庁

さらに、シリコン基板面上に、MONOS絶縁膜13より膜が薄いゲート絶縁膜14を形成し、MONOS絶縁膜13とゲート絶縁膜14の表面を同じ高さにする。例文帳に追加

Furthermore, a gate insulating film 14 thinner than the MONOS insulating film 13 is formed on the silicon substrate surface and surfaces of the MONOS insulating film 13, and gate insulating film 14 are set to have the same height. - 特許庁

絶縁膜又は絶縁基板上に形成されるトランジスタにおいて、半導体膜(13)の一部が膜(13a)に形成される。例文帳に追加

In a transistor formed on an insulating film or an insulating substrate, a part of a semiconductor film (13) is formed as a thick film (13a). - 特許庁

基板32とダイヤフラム2の境界面において絶縁膜30cと同じ材質の補強絶縁部39がく堆積している。例文帳に追加

A reinforcing insulating part 39 of the same material as that of the insulating film 30c is thickly deposited in an interface surface between the substrate 32 and the diaphragm 2. - 特許庁

配線基板9は、複数の絶縁層1aを積層して成る絶縁基板1の内部で、絶縁層1aの層間に、接地配線3と接地配線3よりもみの薄い信号線路2とを並設した状態で介在させる。例文帳に追加

In the wiring board 9, ground wiring 3 and the signal line 2 thinner than ground wiring 3 are arranged in a parallel between insulating layers 1a inside an insulating substrate 1 where a plurality of insulting layers 1a are laminated. - 特許庁

例文

層構造が形成された半導体基板絶縁基板とを接着した後、半導体基板を除去することで、数ミクロン程度のさの半導体層が絶縁基板に残された構造を実現できる。例文帳に追加

After the semiconductor substrate where the layer structure is formed and the insulating substrate are adhered, the semiconductor substrate is removed to enable actualizing a structure, having a semiconductor layer of about several microns in thickness left on the insulating substrate. - 特許庁

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