絶縁基板厚さの英語

絶縁膜又は絶縁基板上に形成されるトランジスタにおいて、半導体膜(13)の一部が厚膜(13a)に形成される。例文帳に追加

In a transistor formed on an insulating film or an insulating substrate, a part of a semiconductor film (13) is formed as a thick film (13a). - 特許庁

少なくとも一方の絶縁性基板22をケミカル研磨法により所望の基板厚さに薄板化する。例文帳に追加

At least one insulation substrate 22 is made to be a thin plate having a desired substrate thickness by a chemical polishing method. - 特許庁

配線交差部の絶縁層の膜厚任意にコントロールされた配線基板である。例文帳に追加

A film thickness of the insulating layer of the section where the wiring lines are crossed is arbitrarily controlled. - 特許庁

基板部１７の厚さが接着剤による接着剤層１４の厚さよりも厚い場合は、絶縁層１８の厚さに対して、基板部１７の厚さが６５％〜９０％とする。例文帳に追加

When the thickness of the substrate portion 17 is larger than that of the adhesive layer 14, the thickness of the substrate portion 17 is set equal to 65-90% of the thickness of the insulation layer 18. - 特許庁

そして、第１の絶縁膜２がエッチングされた基板１上に、第１の絶縁膜２と異なる膜厚の第２の絶縁膜を形成する。例文帳に追加

Then, a second insulating film having a film thickness different from that of the first insulating film 2 is formed on the substrate 1 on which the first insulating film 2 is etched. - 特許庁

厚膜回路部品１０はアルミナ基板１２を含み、アルミナ基板１２上には、絶縁ガラスペーストからなる絶縁ガラス層１４が形成される。例文帳に追加

The thick film circuit parts 10 include an alumina substrate 12 and the insulating glass layer 14 consisting of the insulating glass paste is formed on this alumina substrate 12. - 特許庁

第１ゲート絶縁膜１１、第１ゲート絶縁膜より厚い膜厚を有する第２ゲート絶縁膜１２が、素子領域内の支持基板の上に配設される。例文帳に追加

A first gate insulating film 11 and a second gate insulating film 12 having a film thickness thicker than that of the first gate insulating film are arranged on the supporting board within an element region. - 特許庁

薄い板厚（ｔ１）を持つ第１の絶縁基板２１ａと厚い板厚（ｔ２）を持つ第２の絶縁基板２１ｂとを貼り合わせ、且つ薄い部分３３が点在し、厚い部分が格子状に延在する大判基板３２を準備する。例文帳に追加

A first insulating board 21a having thin plate thickness t1 and a second insulating board 21b having thick plate thickness t2 are pasted to prepare a large board (32) having lattice-like thick part dotted with thin parts 33. - 特許庁