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膜電位依存の英語
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英訳・英語 membrane potential dependency
「膜電位依存」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
履歴値は膜電位に依存し、神経素子部の発火時に履歴値に従って結合係数が強化または減衰される学習が行われる。例文帳に追加
The history value depends on the membrane potential and learning is carried out in which a coupling coefficient is reinforced or attenuated according to the history value when the neural element part ignites. - 特許庁
また、感光体の膜厚変化に依存せず帯電電位が一定の帯電手段を備える場合にも、同様の装置が提供できる。例文帳に追加
A similar apparatus can be provided even when equipped with an electrostatic charging means whose electrostatic charging potential is not dependent upon film thickness variation of the photoreceptor, but constant. - 特許庁
このポリペプチドは、４つの膜貫通部位を有し、従来公知の電位依存性イオンチャネルのＳ１〜Ｓ４の電位センサ部分のみと相同性を有している。例文帳に追加
This polypeptide has four transmembrane sites, and has homology only with S1 to S4 potential sensor portions of conventional known potential-dependent ion channels. - 特許庁
さらに、一定時間後の表面電位の基準値との比較や、表面電位の時間依存性により残膜量の測定、オーバエッチ量の推定を行う。例文帳に追加
Furthermore, comparison of the surface potential with a reference value after a fixed time, measurement of a residual film amount based on the time dependence of the surface potential, and estimation of an overetch are carried out. - 特許庁
感光体の露光後電位の膜厚依存性が小さい範囲に抑制されており、露光量の補正等の煩わしい手段なしに、感光体を広い膜厚範囲で使用可能にする画像形成装置を提供するにある。例文帳に追加
To provide an image forming device by which the film thickness dependence of voltage after exposure of a photoreceptor is suppressed in a small range and the photoreceptor can be used in a broad range of the film thickness without troublesome means such as the correction of exposure. - 特許庁
感光体の露光後電位の膜厚依存性が小さい範囲に抑制されており、露光量の補正等の煩わしい手段なしに、感光体を広い膜厚範囲で使用可能にする画像形成装置を提供するにある。例文帳に追加
To provide an image forming device where dependency on the film thickness of the potential after exposure of a photoreceptor is restrained to a low range and the photoreceptor can be used in a wide film thickness range without using a troublesome measures such as the correction of exposure. - 特許庁
感光体の露光後電位の膜厚依存性が小さい範囲に抑制されており、露光量の補正等の煩わしい手段なしに、感光体を広い膜厚範囲で使用可能にする画像形成装置を提供するにある。例文帳に追加
To provide an image forming device where a photoreceptor can be used in a wide range of film thickness without any troublesome means such as correction of the quantity of exposure by having the dependency on the film thickness of potential after exposure of the photoreceptor to be kept down to a small range. - 特許庁
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「膜電位依存」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
本発明は、シナプス履歴の変化を膜電位依存としたことで、個別の履歴の獲得が可能であり、シナプス履歴の時間変化のコントラストを明確にできるという、２つの学習効果を表現できるようにしたものである。例文帳に追加
This neural circuit element mode can express two learning effects which are one capable of acquiring an individual history and the other capable of clarifying contrast between time deviations of a synapse history by making a change in the synapse history voltage dependency. - 特許庁
入力保護回路部のゲート状構造は除去されており、ゲート電極を高濃度Ｎ＋型領域３３と同電位に保つ従来のダイオードのように、ダイオードの耐圧がゲート酸化膜２１の耐圧に依存しないため、高耐圧が得られる。例文帳に追加
The gate shape structure of the input protective circuit unit is removed and the breakdown voltage of the diode does not depend upon the breakdown voltage of a gate oxide film 21 like in a conventional diode which retains the gate electrode at the same voltage as the region 33 whereby a high breakdown voltage is obtained. - 特許庁
ＭＯＳトランジスタスイッチ３とホールドキャパシタ４とを含んでなり、ＭＯＳトランジスタスイッチ３のバルク電位を入力信号Ｖｉｎと同位相で変化させるＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜容量及びＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間容量に蓄積される電荷を入力電圧に依存しない様にする事により高調波歪を軽減するトラックアンドホールド回路。例文帳に追加
This track and hold circuit comprises a MOS transistor switch 3 and hold capacitor 4, and higher harmonics distortion is reduced by constituting the circuit so that electric charges accumulated in a gate oxide film capacitor of the MOS transistor of which the bulk potential is varied in the same phase as an input signal Vln and a capacitor between a gate and a source of the MOS transistor do not depend on input voltage. - 特許庁
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