蝕刻法の英語

強誘電体キャパシタ構造体を形成する際の蝕刻残留物の再蒸着のない乾式蝕刻方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for dry etching without re-vapor deposition of etching residues, when a ferroelectric substance capacitor structural body is formed. - 特許庁

微細構造物の製造に用いられる物質層の蝕刻方法及びリソグラフィーマスクの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING MATERIAL LAYER USED IN MANUFACTURE OF MICROSTRUCTURE AND METHOD OF FORMING LITHOGRAPHY MASK - 特許庁

フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film etching method of etching a thin film using a femtosecond laser, to provide a simplified process and also a process productivity, and to provide a method of fabricating a liquid crystal display device using the same. - 特許庁

蝕刻副産物が除去された蝕刻対象物パターンの側面プロファイルを安全に確保することの出来る半導体素子の製造方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element and its manufacturing apparatus which safely ensures the side profile of an object pattern to be etched from which etching by-product is removed. - 特許庁

物質層を蝕刻する方法において、カーボン層は物質層の少なくとも一部の上に形成されて蝕刻から前記物質層の部分を保護する。例文帳に追加

In a method for etching a material layer, a carbon layer is formed on at least one part of the material layer so that the part of the material layer can be protected from etching. - 特許庁

オクタフルオロブテンを含む蝕刻ガスを用いた半導体素子の製造方法及びその方法によって製造された半導体素子例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING ETCHING GAS CONTAINING OCTAFLUOROBUTENE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT FABRICATED BY THAT METHOD - 特許庁

微細構造物の製造に用いられる物質層の蝕刻方法及びリソグラフィーマスクの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for etching a material layer to be used for the manufacture of a microstructure and a method of forming a lithography mask. - 特許庁

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching. - 特許庁