融液内対流の英語

第１〜第７ステップで、融液１２の対流を考慮して融液から成長する単結晶１４内の温度分布を、単結晶の引上げ時から冷却完了時までのコンピュータを用いて求める。例文帳に追加

A temperature distribution in the single crystal 14 grown from a molten liquid in consideration of the convection of the molten liquid 12 is obtained by using a computer up to the time of the completion of a cooling after the time of the pull-up of the single crystal at a first to a seventh steps. - 特許庁

溶融炉本体１２内にて高レベル廃液とガラス原料を加熱し溶融ガラス化させると、流路２２が加熱され流路２２内に下方から上方へ向かう空気２３の自然対流が生じる。例文帳に追加

When a high level waste liquid and a glass material are heated to be a molten glass in the melting furnace body 12, the channel 22 is heated, and a natural convection of the air 23 upward from below is generated in the channel 22. - 特許庁

チョクラルスキ法によるシリコン単結晶体の製造等のように、結晶を成長させる原料となる固体原料を坩堝内で融解させる方法において、坩堝内における融液の対流が不均一になることを防止する固体原料融解方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fusing method of solid raw materials which prevents the convection of the melt from becoming inhomogeneous within a crucible in a method for fusing solid materials which is materials for growing a crystal within the crucible, such as the production of a silicon single crystal by a Czochralski method. - 特許庁

引上げ方法は、筒体４８とインゴット２５の間の内空間における不活性ガスの流速によりシリコン融液１２に対流を起こさせてシリコン融液１２とインゴット２５との固液界面２６が上凸状になるように調整する。例文帳に追加

The method for pulling up the silicon single crystal is that a solid-liquid interface 26 between the silicon melt 12 and the ingot 25 is controlled to be upward convex by convection in the silicon melt 12 which is caused by the flowing velocity of the inert gas at an inside space between the cylindrical body 48 and the ingot 25. - 特許庁

これによって、融液表面におけるマランゴニ対流の強さが低減され、融液内の温度振動が単一周期となって、温度振動の乱れが無くなるばかりでなく、結晶中の酸素濃度を制御することができ、均一性の高い結晶が生成できる。例文帳に追加

The intensity of a Marangoni convection on the melt surface is reduced, and the temperature oscillation in the melt is made to have a single period, the turbulence of the temperature oscillation disappears and also oxygen concentration in a crystal can be controlled, and a highly uniform crystal can be formed. - 特許庁

チャンバ１１内のヒータ１８により融解された融液１２から引上げられる単結晶インゴット１５内の固液界面２４近傍の軸方向温度勾配Ｇを、総合伝熱解析プログラム及び融液対流解析プログラムを用いてコンピュータにより予測した後に、単結晶インゴットの引上げ速度をシミュレーションにより決定する。例文帳に追加

After the temperature gradient G in the axis direction in the vicinity of the solid-liquid interface 24 in a single crystal ingot 15 to be pulled from a melt 12 melted by a heater 18 in a chamber 11 is estimated by using a computer utilizing a comprehensive heat transfer analyzing program and a melt convection analyzing program, the pulling speed of the single crystal ingot is determined by simulation. - 特許庁

結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。例文帳に追加

During growing the crystal, the temperature gradient in a furnace and convection of the melt in a crucible are controlled by conditioning the inner diameter ratio of a work coil 5 to the crucible 3, and simultaneously, the pulling speed and the rotation speed of a seed crystal are conditioned so as to render the solid-liquid interfacial form into flat. - 特許庁

先ずパラメータＰ_１の単結晶製造条件で融液１２の対流を考慮して融液から成長する単結晶１４内の温度分布を求め、冷却過程における単結晶内の温度分布を求めることにより、単結晶内のボイド及び高酸素析出物の濃度分布及びサイズ分布を予測する。例文帳に追加

After the temperature distribution in a single crystal 14 growing from a melt 12 is determined while considering the convection of the melt 12 under the single crystal production conditions of parameter P_1, the temperature distribution in the single crystal in a cooling process is determined to predict the concentration distribution and size distribution of voids and high-temperature oxygen precipitates in the single crystal. - 特許庁