表面再配列の英語

蒸気圧の小さいＶ族元素、例えばＳｂを表面に供給することによって安定な表面再配列構造が形成され、Ｖ族脱離、あるいはＶ族置換による結晶性の劣化を防ぐことが可能になる。例文帳に追加

A stable surface rearrangement structure is formed by feeding a group V element of a low vapor pressure, such as Sb, to the surface of the semiconductor element and it becomes possible to prevent deterioration of the crystallizability of the crystal due to group V desorption or group V substitution. - 特許庁

次に、この堆積直後は微結晶体の堆積半導体薄膜３３を、大粒径化するとともに、表面格子再配列を促進し表面特有の欠陥準位に基づく非輻射再結合中心を減少させるために、短時輻射アニールを行う。例文帳に追加

The grain diameter of the accumulated semiconductor thin film 33 of micro crystallines is made large just after the accumulation, and short time radiation annealing is carried out so that surface lattice re-array can be promoted and non-radiation re-connection center based on a surface specific defective level can be reduced. - 特許庁

分離に用いて、水を捕捉した材料については、余熱や空気流などを利用して、表面に捕捉または保持または配列した水分子を、蒸散させることにより、アンモニアと水の分離に再利用する。例文帳に追加

The material used for the above separation by capturing water is reused for separation of ammonia from water by transpiring the water molecule captured, held or aligned on the surface by utilizing remaining heat or air stream or the like. - 特許庁

電極表面に、核酸断片が結合固定されてなる、検出の再現性の良い特定の塩基配列部分を有するＤＮＡ断片などで代表される核酸断片試料の検出用具を提供する。例文帳に追加

To provide an implement with satisfactory reproduciability formed by bonding and fixing nucleic fragments to a surface of an electrode for detecting a sample of nucleic acid fragments represented by DNA fragments with a specific base sequence part. - 特許庁

光メモリヘッド再生装置においては、レーザ素子基板部に複数の垂直共振器表面発光半導体レーザ素子が行列に配列され、また、微細先端部がこの基板部上のクラッドで囲まれたコア表面上に突出し設けられている。例文帳に追加

In the optical memory head reproducing device, a plurality of vertical resonator surface emitting semiconductor laser elements are arranged in a matrix state in a laser element substrate part, also, a minute tip part is projected and provided on a core surface surrounded by cladding. - 特許庁

シリコン基板１０に、その表面のシリコン原子を再配列させることにより、複数のステップ１０ａと複数のテラス１０ｂとを形成した後、シリコン基板１０の表面が汚染されることを防止しつつ該表面に対して熱酸化を行なって、ステップ１０ａ上に結晶質二酸化シリコンつまり結晶質酸化物１１をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

After a plurality of steps 10a and a plurality of terraces 10b are formed on a silicon substrate 10 by re-arraying silicon atoms on the surface thereof, thermal oxidation is performed for the surface of the silicon substrate 10 while the surface is prevented from being contaminated, so that a crystalline silicon dioxide, that is, a crystalline oxide 11 is epitaxially grown on the step 10a. - 特許庁

本発明は、単結晶からなる基板１０１と、その単結晶基板１０１の表面に設けられた炭化珪素層１０２と、その炭化珪素層１０２の表面に設けられたIII族窒化物半導体からなる介在層１０３とを備えた半導体素子１０において、炭化珪素層１０２は、化学量論的に珪素を富裕に含む立方晶からなり、表面が（３×３）構造の再配列構造を有するものである。例文帳に追加

A semiconductor device 10 includes a substrate 101 of single crystal, a silicon carbide layer 102 provided on the surface of the single crystal substrate 101, and an intervention layer 103 of III nitride semiconductor provided on the surface of the silicon carbide layer 102 wherein the silicon carbide layer 102 comprises cubic crystal rich in silicon stoichiometrically and has a surface of rearrangement structure of (3×3). - 特許庁

記録媒体基板の表面に微粒子を配列し、読み出し光或いは書き込み光と光学的に結合するのは配列させた微粒子のみとなるようにすることにより、光源の波長と対物レンズとにより決まるビームスポットよりも小さいスポットの記録再生を可能にした光情報記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an optical information recording medium for recording and reproducing a spot smaller than a beam spot decided by the wavelength of a light source and an objective lens by arraying particulates on the surface of a recording medium substrate and making only the arrayed particulates couple with read light or write light optically. - 特許庁