被占分子軌道の英語

ホールブロック材料とは異なる材料として、最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値が、発光層の最高被占分子軌道準位と最低空分子軌道準位とのエネルギーギャップの値よりも大きい材料を用いる。例文帳に追加

For the material different from the hole-blocking material, a material having a value of an energy gap between the highest occupied molecular orbit level and the lowest unoccupied molecular orbit level larger than that of the luminescent layer is used. - 特許庁

又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも０．３ｅＶ大きい。例文帳に追加

The highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole blocking layer is at least 0.3 eV higher than that of the donor portion. - 特許庁

また、本発明において、有機溶媒は最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）が−１０ｅＶ以下であるのが好ましい。例文帳に追加

Further, it is preferable that the highest occupied molecular orbit (HOMO) of the organic solvent is -10 eV or below. - 特許庁

電解質支持塩の最高被占分子軌道法によるイオン化ポテンシャルＩｐ／ｅＶを上記範囲に限定することにより、放電特性の向上を図ることができる。例文帳に追加

The discharge characteristic can be improved by limiting the ionization potential Ip/eV by the highest occupied molecular orbital method of the electrolyte supporting salt within the range. - 特許庁

広い範囲のエレクトロニクス用途での有用性、低い毒性、環境安定性及び高いポジティブ最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）を有するチエノチオフェン化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a thienothiophene compound having wide applicability in electronic use, low toxicity, good environmental stability and high positive highest occupied molecular orbit (HOMO). - 特許庁

固体高分子電解質６に、リチウム（Ｌｉ）のフッ素化合物でなる電解質支持塩が含まれ、電解質支持塩の最高被占分子軌道法によるイオン化ポテンシャルＩｐ／ｅＶが６以上９以下とした。例文帳に追加

Electrolyte supporting salt consisting of fluorine compound of lithium(Li) is contained in a solid polyelectrolyte 6, and ionization potential Ip/eV by the highest occupied molecular orbital method of the electrolyte supporting salt is made to be not less than 6 and not more than 9. - 特許庁

金属酸化物半導体表面に、色素分子とＨＯＭＯ（最高被占軌道）のエネルギーレベルが−７．５ｅＶ以上である分子とが結合した超分子を担持してなることを特徴とする光半導体電極、および光電変換装置である。例文帳に追加

The photosemiconductor electrode and the photoelectric transfer device is has a super-molecule produced by combining a color matter molecular and a molecular, having an energy level of not less than -7.5 eV on the highest occupied moving orbit on the surface of a metal oxide semiconductor. - 特許庁