裏切削の英語

刃２の切削刃部は裏表にある為、刃物を行き帰りで回転を逆転させる事により２方向で切削を行い、切削残りの無いようにする。例文帳に追加

Since the cutting blade parts of the blades 2 are present in both sides, by reciprocatingly reversing the rotation of the cutlery, cutting is performed in two directions, and uncutting is eliminated. - 特許庁

裏面研削工程後、切削装置の切削ブレードにより半導体ウェーハを表面のストリートに沿って切削することでチップの分割工程を行う。例文帳に追加

Following the rear surface grinding step, dicing step of chip is carried out, by cutting the semiconductor wafer along the street on the surface by means of the cutting blade of a cutter. - 特許庁

合板からなる床基材１０の裏面に所定幅の回転切削具３０を用いてヒータパネル収容用凹部２０を切削加工してときに、回転切削具３０として、刃体一般部３２の径よりも大径である突出刃体３３を一部に有した回転切削具３０を用いる。例文帳に追加

When a heater panel housing recess 20 is cut in the rear surface of the floor base material 10 made of plywood by using a rotary cutter 30 having a predetermined width, the rotary cutter 30 includes, on a part of it, a projecting blade body 33 having a diameter larger than that of a blade body general part 32. - 特許庁

そして、ビット本体２は、スコップ状の上向きに湾曲した湾曲部２２が切削面Ａに略平行となるように接触して切削面Ａを薄くすくい取るように切削し、湾曲部２２の裏側に形成される下方に開口した開口部２３内に切削した土砂がすくい入れられる。例文帳に追加

The bit body 2 comes into contact with the cutting surface A in such a manner that a scoop-shaped and upward curved part 22 is almost parallel to the cutting surface A, and cuts the cutting surface A in such a manner as to thinly scoop it; and cut sediment is scooped and put into a downward opened opening 23 which is formed on the backside of the curved part 22. - 特許庁

次に、基材１１を切削することにより、基材１１の裏面側にリング状の凹部１２を形成する。例文帳に追加

The substrate 11 is cut to form a ringlike recess 12 on the back side of the substrate 11. - 特許庁

半導体ウェーハＷの裏面研削工程の前に、表面に形成されたストリートに対応させて裏面に切削溝Ｍを形成する裏面切削溝形成工程を行う。例文帳に追加

Prior to a step for grinding the rear surface of a semiconductor wafer W, a step for making a cut groove M in the rear surface corresponding to a street formed on the surface is carried out. - 特許庁

裏面研削工程後，切削工程において，ウェハ１０の表面側から保護テープ２５を剥離し，ウェハ１０の裏面側にダイシングテープを貼り付け，ウェハ１０を表面側から切削する。例文帳に追加

In the cutting process, after the rear face grinding process, the protection tape 25 is peeled off from the front face of the wafer 10, then a dicing tape is pasted to the rear face of the wafer 10, and finally the wafer 10 is cut from the front-face side. - 特許庁

次に、裏面研削装置８を用い、切削水を供給しながら半導体ウェハ１のデバイス素子非形成面（裏面）を研削する。例文帳に追加

A cutting fluid is supplied while a device element unforming face (the back) of the semiconductor wafer 1 is ground by use of a back grinder 8. - 特許庁