設計基準寸法の英語

設計自由度が大きく簡単に製造することができると共に、従来のキャンシール型半導体レーザと同程度の寸法精度や取付けの基準面が得られる小形で安価な半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a small-sized and low-priced semiconductor laser winch can be simply manufactured with a large freedom in design, and can obtain dimensional precision and a fitting reference surface of the same degree as a conventional can sealed semiconductor laser. - 特許庁

次いで、基準照射量毎に、最適な近接効果補正係数と、この近接効果補正係数を用いて描画したときのパターンの設計寸法からのずれとを算出する。例文帳に追加

Then, an optimum proximity effect correction coefficient and deviations of the patterns from design dimensions when drawn by using the proximity effect correction coefficient are calculated for every reference emission amount. - 特許庁

この補助パターン１２を基準にして測定対象パターン１１のパターンエッジの位置を測定し、設計値からの変動量を測定することによって測定対象パターン１１の寸法を求める。例文帳に追加

The position of the pattern edge of the objective pattern 11 is measured by using the auxiliary pattern 12 as a reference and variation from a designed value is measured to obtain the dimension of the objective pattern 11. - 特許庁

計算上便利で、直観的に理解しやすく、北米からの輸入建材の寸法体系にも馴染みやすい基準モデュールを用いて建築物を設計する方法を提案する。例文帳に追加

To provide a building designing method using standard modules familiar to the sizes of imported building materials as well as convenient in calculation and recognizable directly. - 特許庁

ＣＡＥシミュレーションを利用して射出成形用金型を設計する際や成形条件を設定する際に従来は成形品の寸法精度を評価基準としていたのであるが、本発明は成形品の温度分布のばらつきを評価特性として用いる。例文帳に追加

The dimensional precision of a molded product is set as an evaluation standard heretofore when the injection mold is designed by utilizing CAE simultation or a molding condition is set but, in this invention, the irregularity of the temperature distribution of the molded product is used as an evaluation characteristic. - 特許庁

調整スペーサ４６１は、母型２３の表面上の基準位置Ｐ０と、小レンズに対応する各凹部の加工中心、すなわち小レンズ１２１の光学中心に対応する位置との設計上の距離に応じた幅寸法を有する。例文帳に追加

The adjustment spacer 461 has a width dimension corresponding to the designed distance between the reference position P0 on the surface of the mold 23 and the center for machining the recess corresponding to a small lens, i.e., a position corresponding to the optical center of the small lens 121. - 特許庁

複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。例文帳に追加

The reference dimensions of the plurality of patterns may be obtained by measuring the plurality of patterns by an Atomic Force Microscope: AFM, or alternatively, may be obtained on the basis of sectional shapes or the like of the patterns obtained by applying simulation to semiconductor pattern design data. - 特許庁

部品挿入孔径Ｄ２１は、基板設計の基準や部品メーカーの推奨寸法に従い、部品挿入孔２２の一部を上下に若干ずらす様に設定する事により、部品挿入時に部品端子２４に若干のストレスが加わる事になり、部品端子２４を部品挿入孔２２により確実に保持できる。例文帳に追加

While the diameter D21 of a part inserting hole is designed according to a standard of board design or a recommendation design of a part maker, part of the part inserting hole 22 is dislocated a little vertically, so some stress is applied to a part terminal 24 when the part is inserted, and the part terminal 24 is held surely in the part inserting hole 22. - 特許庁