超格子デバイスの英語

本発明に係わる超格子のナノデバイスは、少なくとも一つの構成ユニットを含む。例文帳に追加

A superlattice nanodevice comprises at least one constituent unit. - 特許庁

少ないエネルギーで結晶構造が高速に遷移する超格子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a superlattice device of which the crystalline structure is rapidly replaced by application of low energy. - 特許庁

第２の実施形態において、発光デバイスの活性領域は、量子井戸層とバリア層とが交互になっている超格子である。例文帳に追加

In a second embodiment, the active region of the light emitting device is composed of a supper lattice in which the quantum well layer and the barrier layer are formed alternately. - 特許庁

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same. - 特許庁

しかも、気相−液相−固相成長法でナノワイヤーを成長させる技術では、超格子の材料と金属の触媒が合金又は固溶体を形成する必要がある問題を解決できるから、種類が多い超格子のナノデバイスを製造できる。例文帳に追加

Furthermore, a problem can be solved that a superlattice material and a metal catalyst need to form an alloy or a solid solution in a technology for growing a nanowire by a vapor-liquid-solid growth method, thereby allowing many types of superlattice nanodevices to be produced. - 特許庁

基板として低抵抗ＧａＡｓ基板を使い、さらに半導体装置の要部を構成するデバイス層２３と低抵抗基板２１との間にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子バッファ層２２を介在させる。例文帳に追加

A low resistance GaAs substrate is used and a GaAs/AlGaAs superlattice buffer layer 22 is inserted between a device layer 23 constituting the main of a semiconductor device and the low resistance substrate 21. - 特許庁

積層面が（１１１）配向した結晶層１は、比較的少ないエネルギー印加によって結晶構造が可逆的に遷移するため、このような結晶層を持つ超格子デバイスの特性を高めることが可能となる。例文帳に追加

In the crystal layer 1 of which the lamination surface is subjected to the (111) orientation, the crystalline structure thereof is irreversibly replaced by application of relatively low energy, whereby the characteristic of the superlattice device having such a crystal layer can be improved. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁