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転位基の英語
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「転位基」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 799件
転位の検出方法、転位数の測定方法、転位密度の測定方法、GaN結晶基板および転位密度の算出方法例文帳に追加
DETECTION METHOD OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF NUMBER OF DISLOCATION, MEASURING METHOD OF DISLOCATION DENSITY, AND CALCULATION METHOD OF GAN CRYSTAL SUBSTRATE AND DISLOCATION DENSITY - 特許庁
まず、低転位領域10と、低転位領域10よりも転位密度が高い高転位領域12とを有するGaN基板14を準備する。例文帳に追加
First, a GaN substrate 14 having a low-dislocation region 10 and a high-dislocation region 12, whose dislocation density is higher than that of the low-dislocation region 10, is prepared. - 特許庁
[0001]c軸方向に転位線を持つ貫通転位3は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、C面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。例文帳に追加
The threading dislocation 3 having a dislocation line in the [0001] c-axis direction is vertical to the direction of the dislocation line of the basal plane dislocation, so that the threading dislocation 3 can not be an extension dislocation in C-plane, and stacking dislocation is not generated. - 特許庁
[0001]c軸方向に転位線を持つ貫通転位3は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、C面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。例文帳に追加
Since the threading dislocation 3 having the dislocation line in the direction of [0001]c axis is perpendicular to the direction of the dislocation line of basal surface dislocation, it does not become an extended dislocation in surface C and does not generate stacking fault. - 特許庁
スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。例文帳に追加
The sliced substrate has a low dislocation density because the dislocation runs in parallel to the surface. - 特許庁
転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。例文帳に追加
To provide a substrate for growing semiconductor for making dislocation less and a light-emitting element having fewer dislocation. - 特許庁
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「転位基」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 799件
第2の領域17bの転位密度は基板13の転位密度よりも小さい。例文帳に追加
The secondary region 17b's dislocation density is larger than that of the substrate 13. - 特許庁
ここで、平均転位密度に対する高転位密度20hの転位密度の比が基板のクラックの伝搬を阻止するのに十分な大きさである。例文帳に追加
The ratio of the dislocation density of the high dislocation density 20h to the average dislocation density is sufficiently large for preventing propagation of cracks of the substrate. - 特許庁
正常な一つの信号により、2つの回転位置候補が得られ、回転位置領域に基づいていずれかの回転位置候補が選択される。例文帳に追加
Two candidates of rotation position are obtained by one normal signal, and any one of the candidates of rotation position is selected based on the rotation position region. - 特許庁
複数の感光体の回転位相を検出し、基準となる所定の感光体の回転位相に対する他の複数の感光体の回転位相差を複数回算出し、各感光体毎に設定された回転位相差に基づいて各感光体の回転位相を補正する。例文帳に追加
The rotational phases of plural photoreceptors are detected, a difference between the rotational phase of a specified photoreceptor being reference and the rotational phases of plural other photoreceptors is calculated plural times, and the rotational phase of each photoreceptor is corrected, based on the difference of the rotational phase set for every photoreceptor. - 特許庁
転位を集結した部分から転位が再び解き放たれず転位終結部以外の部分が低転位密度であり低転位である部分の面積を広くできるような窒化物半導体基板の製造方法と基板を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for producing a nitride semiconductor substrate and the substrate in which dislocations are not released again from the parts where dislocations are accumulated, while parts other than the accumulated dislocation region are of low dislocation density, so that the area of the low dislocation density can be widen. - 特許庁
窒化ガリウム系基板13は、第1の転位密度より大きい転位密度を有する第1の領域13cと、第1の転位密度より小さい転位密度を有する第2の領域13dとを含む。例文帳に追加
A gallium nitride based substrate 13 includes a first region 13c having a larger dislocation density than a first dislocation density, and a second region 13d having a smaller dislocation density than the first dislocation density. - 特許庁
最初に画像形成を行うYの感光ドラム(回転体)の回転位相を基準として、その回転位相に他のM,C,Kの感光ドラム(回転体)の回転位相が合うように回転位相差を調整する。例文帳に追加
By setting the rotational phase of a Y photoreceptor drum (rotating body) as reference on which an image is formed first, the difference of the rotational phase is adjusted so that the rotational phases of other M, C and K photoreceptor drums (rotating bodies) may agree with the phase of the Y photoreceptor drum. - 特許庁
本III族窒化物単結晶自立基板は、1つ以上の高転位密度領域20hと、高転位密度領域20hよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域20kと、を含み、平均転位密度が5×10^5cm^-2以下である。例文帳に追加
The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2. - 特許庁
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