転移元素の英語

シリコン結晶中に埋め込み構造で作成されているシリカガラスに不純物元素を含有させることにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）を低下させ、且つガラスの熱膨張係数（α）を増加させ、ガラスの熱特性をシリコンのそれに近づける。例文帳に追加

An impurity compound is incorporated into silicon glass formed in a structure of being embedded into the silicon crystal, so that the glass transition temperature (Tg) is lowered, the coefficient of thermal expansion (α) of the glass is increased and the thermal characteristics of the glass are made to approach to those of the silicon. - 特許庁

本発明は、Ｓｎ元素を含むはんだを用いてなる装置から該はんだを回収する方法であって、この装置を低温に曝す冷却処理により、上記はんだ中のβ−Ｓｎをα−Ｓｎに転移させ、該はんだを崩壊させて上記装置と該はんだとを分別することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for recovering solder containing an Sn element from a device made by using the solder, by cooling treatment where the device is exposed to a low temperature, β-Sn is transited to α-Sn to collapse the solder, and the device and solder are fractionated. - 特許庁

第一の窒化物半導体においてＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転移密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が２００ｓｅｃ以下である。例文帳に追加

In the first nitride semiconductor, the Al content amount is 50 atom% or more against the sum of III element contents, a dislocation density is 10^11/cm^2 or below, and the half band width of an X-ray locking curve on a (002) plane is 200 sec or below. - 特許庁

核医学診断装置１は、被検体Ｐに投与された放射性同位元素から放出される放射線を検出する放射線検出器２１と、被検体Ｐの体軸Ｏ方向を中心に放射線検出器２１を回転移動させる回転駆動機構２２とを備える。例文帳に追加

The diagnostic equipment for nuclear medicine 1 comprises: a radiation detector 21 for detecting radiation radiated from the radio isotope administered to a subject P; and a rotary driving mechanism 22 for rotatably moving the radiation detector 21 while centering a body axis O of the subject P. - 特許庁

ＰＥＦＣ用電極の製造方法において、カ−ボン粒子と陽イオン交換樹脂とを含む混合物を、前記陽イオン交換樹脂のガラス転移温度以上、分解温度以下の温度で加熱した後、前記混合物に含まれる前記陽イオン交換樹脂に白金族金属元素を含む陽イオンを吸着させ、その後前記陽イオンを還元する工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The manufacturing method of a PEFC electrode includes a process in which a mixture containing carbon particles and a cation exchange resin is heated at a temperature of glass transition temperature or more and decomposition temperature or less of the cation exchange resin, and then, cations containing a platinum metal element are adsorbed to the cation exchange resin contained in the above mixture, and then the cations are reduced. - 特許庁

窒化物系半導体発光素子は、ｎ型クラッド層１２０と、前記ｎ型クラッド層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成され、第３族転移元素を含むｐ型窒化物半導体からなる電子遮断層１４０と、前記電子遮断層上に形成されたｐ型クラッド層１５０とを含む。例文帳に追加

This nitride semiconductor light emitting device comprises: an n-type clad layer 120; an active layer 130 formed on the n-type clad layer; an electron blocking layer 140 which is formed on the active layer and consists of a p-type nitride semiconductor containing Group III transition elements; and a p-type clad layer 150 formed on the electron blocking layer. - 特許庁

ポリカルボン酸とポリオールとの重縮合反応により得られ、該ポリカルボン酸の３ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満が式（１）及び／又は式（２）で表され、触媒由来の金属元素の含有量が０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下であり、ガラス転移温度が５０℃以上８０℃以下であることを特徴とする静電荷像現像トナー用結着樹脂。例文帳に追加

The binder resin for the electrostatic image developing toner is obtained by polycondensation reaction of a polycarboxylic acid and a polyol, wherein a fraction from 3 mol% to less than 50 mol% of the polycarboxylic acid is expressed by formula (1) and/or formula (2), including 0 ppm to 10 ppm of metal element derived from a catalyst, and has a glass transition temperature of from 50°C to 80°C. - 特許庁

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２２０と、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、第３族転移元素を含む窒化物半導体層からなる電子放出層２３０と、前記電子放出層上に形成された活性層２４０と、前記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層２５０と、を含む。例文帳に追加

This nitride semiconductor device comprises an n-type nitride semiconductor layer 220, an electron emitting layer 230 comprising a nitride semiconductor layer including a tertiary group transition element, formed on the n-type nitride semiconductor layer, an active layer 240 formed on the electron emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer 250 formed on the active layer. - 特許庁