過剰キャリアの英語

これにより、ＦＷＤのリカバリ時に領域部ダメージ層２０にてＮ−型基板１０内の過剰キャリアを再結合によって消滅させ、逆方向電流に寄与するキャリアを減少させる。例文帳に追加

Accordingly, excessive carriers in the N^--type substrate 10 are removed through re-coupling in the regional damage layer 20 on the occasion of recovery of FWD to reduce the carriers making contribution to a backward current. - 特許庁

このキャリア流量抑制層１６により、流量の過剰なキャリアの流量が抑制されるため、発光層１８に流入する正孔と電子との数を容易に均衡させることができる。例文帳に追加

Since the excessive flow rate of the carrier is suppressed with the carrier flow rate suppressing layer 16, the number of holes and that of electrons flowing into the light emitting layer 18 can easily be balanced. - 特許庁

これにより、第１端部１０２ａ付近に生じる過剰なキャリアが打ち消され、キャリア濃度を最適化され、第１端部１０２ａ付近における耐圧特性が緩和される。例文帳に追加

Accordingly, excess carriers generated in the region near the first end part 102a are cancelled, the carrier concentration is optimized, and the voltage resistance characteristics at the region near the first end part 102a is relaxed. - 特許庁

ドクターロール１２とそのドクターロールの周面に接触するドクターブレード１３を搭載した主キャリア２０と、そのドクターロールの軸芯１５に平行に主キャリア２０を導くガイドレール２２とによって過乳化・過剰印刷インキ除去装置を構成する。例文帳に追加

The over-emulsified/excessive printing ink removing device is constituted of a main carrier 20 mounted with a doctor roll 12 and a doctor blade 13 in contact with the peripheral face of the doctor roll, and a guide rail 22 for guiding the main carrier 20 in parallel with the axis 15 of the doctor roll. - 特許庁

他の素子領域と絶縁分離された１つの素子領域において、Ｎ^- 層３に、Ｐ^+ ベース領域９、Ｎ^+ エミッタ領域１１、Ｎ^+ コレクタ領域１２と、Ｐ^^+ ベース領域９の過剰キャリアを除去するＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０が形成されて、バイポーラトランジスタを形成されている。例文帳に追加

In one element region which is insulatingly isolated from other element region, a P+-base region 9, an N+-emitter region 11, an N+-collector region 12 and a P+ region 10 for removing excessive carriers for removing excessive carriers in the region 9 are formed into an N- layer 3, and a bipolar transistor is formed in the one element region. - 特許庁

また、Ｐ^+ ベース領域９、Ｐ^+ 過剰キャリア除去用領域１０の間のＮ^- 層３の表面にゲート酸化膜１３が形成され、その上にポリシリコン層１４が形成されて、Ｐ^+ ベース領域９をソース領域としＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０をドレイン領域とする絶縁ゲート型トランジスタが形成されている。例文帳に追加

Moreover, a gate oxide film 13 is formed on the surface of the layer 3 between the regions 9 and 10, a polysilicon layer 14 is formed on the film 13 and an insulated-gate transistor, which uses the region 9 as its source region and uses the region 10 as its drain region, is formed in the one element region. - 特許庁

したがって、Ｐゲート拡散領域３３からＮ型シリコン基板３１への少数キャリアの注入が抑制されて残存キャリア量が減少し、Ｎ型シリコン基板３１中に残存している転流時の過剰なキャリアが、逆チャンネル側への移動する機会を減少して転流特性の改善を図ることができる。例文帳に追加

Accordingly, the pouring of a minority carrier from the p-gate diffusion region 33 into the n-type silicon substrate 31 is suppressed and the mount of remaining carrier is decreased whereby an excessive carrier remaining in the n-type silicon substrate 31 upon commutation reduces a chance to move toward a reverse channel side, thereby permitting the improvement of the commutation characteristics. - 特許庁

ここに記載されたデバイス３００は、寄生的なバイポーラトランジスタを排除し、重いイオンのヒットのような単一のイベントの影響（ＳＥＥ）から生じる過剰な少数キャリアの生成に対する感度を排除する。例文帳に追加

The device 300 described herein may eliminate parasitic bipolar transistors and the sensitivity to excess minority carrier generation that results from single event effects (SEE) such as heavy ion hits. - 特許庁