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酢酸アミルの英語
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英訳・英語 amyl acetate
「酢酸アミル」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
酢酸ペンチル(別名酢酸アミル)例文帳に追加
Pentyl acetate (alias Amyl acetate)発音を聞く - 日本法令外国語訳データベースシステム
酢酸アミルという化合物例文帳に追加
a chemical compound called amyl acetate発音を聞く - EDR日英対訳辞書
α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Aと、酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含むレジスト現像剤。例文帳に追加
The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁
1種又は2種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤として水を10〜200ppmを含む。例文帳に追加
A raw material solution is prepared, by mixing one or more organic metal compound raw materials and one or more organic solvents selected from among a group consisting of tetrahydrofuran, methyl tetrahydrofuran, n-octane, iso-octane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate and aluminum acetate, and contains 10-200 ppm of water as an aditive. - 特許庁
1種又は2種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤としてアルコールを0.1〜1000ppmを含む。例文帳に追加
The raw solution material includes a raw material liquid prepared by mixing one or more raw organometallic compounds, and one or more organic solvents selected from the group consisting of tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, n-octane, iso-octane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate and amyl acetate, and alcohol of 0.1-1,000 ppm as an additive. - 特許庁
1種又は2種以上の有機金属化合物原料と、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル及び酢酸アミルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の有機溶媒とを混合してなる原料液に添加剤としてHdpmを1500〜5000ppmを含む。例文帳に追加
This solution material is prepared by adding 1,500-5,000 ppm Hdpm to a mixture comprising at least one organometallic compound material and at least one organic solvent selected from among tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, n-octane, isooctane, hexane, cyclohexane, pyridine, lutidine, butyl acetate, and amyl acetate. - 特許庁
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酢酸アミル
「酢酸アミル」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
共重合体Aのフィルムに形成された潜像を現像させてレジストパターンを形成するために用いられる現像液であって、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸アミル及び酢酸ブチルの中から選ばれる少なくとも1種の溶剤を主成分とし、該共重合体に対する貧溶剤を補助溶剤とすることを特徴とするレジストパターン形成用現像液。例文帳に追加
The developer used for developing a latent image formed in a film of the copolymer A to from a resist pattern is based on at least one solvent selected from propylene glycol monomethyl ether acetate, amyl acetate and butyl acetate and contains a poor solvent for the copolymer as an auxiliary solvent. - 特許庁
α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含む。例文帳に追加
The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁
α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bと、酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Cとを含む。例文帳に追加
The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁
基板上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターンの描画又は露光を行う工程と、酢酸−n−アミルを含む5℃以下の現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する工程と、を含む。例文帳に追加
A method for forming a resist pattern includes steps of: forming a resist layer containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene on a substrate; performing rendering or exposure of a predetermined pattern by irradiating the resist layer with an energy beam; and developing the rendered or exposed resist layer with a developer containing n-amyl acetate at ≤5°C. - 特許庁
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