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酸化窒化けい素膜の英語
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英訳・英語 silicon oxynitride film
「酸化窒化けい素膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 513件
成膜材料としては、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等。例文帳に追加
As the depositing material, there are prepared a silicon oxide, a silicon nitride, a silicon nitrided oxide, etc. - 特許庁
酸化窒化珪素膜３を成膜する前に、酸化窒化珪素膜のソースガスである亜酸化窒素（N_2O）ガスを用いてプラズマ前処理した。例文帳に追加
Before forming the oxynitride silicon film 3, pretreatment with plasma is done by using nitrous oxide (N2O) gas, which is a source gas of the oxynitride silicon film. - 特許庁
酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜とこれら酸化炭素系薄膜の製造方法例文帳に追加
CARBON OXIDE THIN FILM, CARBON OXYNITRIDE THIN FILM AND DIAMOND-LIKE CARBON OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THESE CARBON OXIDE TYPE THIN FILMS - 特許庁
活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。例文帳に追加
A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device. - 特許庁
前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。例文帳に追加
The insulating film containing fluorine is any one of a silicon oxide film containing fluorine, a silicon oxide film containing fluorine and nitrogen, and a silicon nitride film containing fluorine. - 特許庁
酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成する工程と、前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。例文帳に追加
The method successively carries out the steps, without being exposed to the air, of forming a silicon oxide film or a silicon-oxide-nitride film and of forming a silicon nitride film over the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film. - 特許庁
被膜はアルミナ，炭化ケイ素，窒化ケイ素又は酸化ケイ素で形成されている。例文帳に追加
The coating is composed of alumina, silicon carbide, silicon nitride, or silicon oxide. - 特許庁
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「酸化窒化けい素膜」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 513件
この多層シリコン酸化膜をプラズマ窒化法などにより窒化してシリコン酸化窒化膜５、６を形成し、上層ほど窒素濃度が高い窒素濃度プロファイルを有する多層シリコン酸化窒化膜を形成する。例文帳に追加
The multilayered silicon oxide film is nitrided through a plasma nitriding method into silicon oxide nitride films 5 and 6, so that the multilayered silicon oxide nitride film whose upper part gets higher in nitrogen concentration than its lower part can be formed. - 特許庁
第３絶縁膜１２０７としては、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等の無機絶縁膜で形成する。例文帳に追加
The third insulating film 1207 is formed from such inorganic insulating film as a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an aluminum nitride, aluminum oxide, and aluminum oxynitride. - 特許庁
二酸化珪素膜５１の形成後、ＣＶＤ法により、二酸化珪素膜５１上に酸窒化珪素膜６１を形成する。例文帳に追加
After the silicon dioxide film 51 is formed, a silicon oxynitride film 61 is formed on the silicon dioxide film 51 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. - 特許庁
第１膜１２１、第３膜１２３、第５膜１２５は二酸化ケイ素からなり、第２膜１２２、第４膜１２４は、酸化窒化ケイ素からなる。例文帳に追加
The first film 121, third film 123 and fifth film 125 are made of silicon dioxide and the second film 122 and fourth film 124 are made of silicon oxide nitride. - 特許庁
この誘電層は窒素膜と酸化膜の二層構造とするか、或いは酸化膜・窒化膜・酸化膜の三層構造とするか、或いはその他の高誘電薄膜、例えば五酸化二タンタルで形成する。例文帳に追加
The dielectric layer has a double layer structure of nitride film and oxide film or a three layer structure of oxide film, nitride film and oxide film, or is formed of the other thin film of high dielectric constant, e.g. tantalum pentaoxide. - 特許庁
半導体装置のゲート酸化膜上に窒化珪素層を形成し、窒化物層を熱処理する方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE LAYER ON GATE OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ANNEALING THE NITRIDE LAYER - 特許庁
次いで、プラズマにより発生させた窒素ラジカルまたは窒素イオンでシリコン酸化膜に窒素を導入しシリコン酸窒化膜を形成する。例文帳に追加
Then, nitrogen is introduced in the form of nitrogen radicals or nitrogen ions generated by plasmas into the silicon oxide film to form the silicon oxynitride film. - 特許庁
絶縁体被膜２０は二酸化珪素被膜１３と二酸化珪素被膜１３よりもエッチングレートの小さい窒化被膜１４とからなる。例文帳に追加
The insulator coating 20 is made of a silicon dioxide coating 13 and a nitride coating 14 having an etching rate smaller than that of the silicon dioxide coating 13. - 特許庁
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silicon oxynitride film
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