金属酸化物抵抗の英語

第１抵抗変化層１２０は、第１金属酸化物層１０２および第２金属酸化物層１０３を備え、第２抵抗変化層１３０は、第３金属酸化物層１０５および第４金属酸化物層１０６を備える。例文帳に追加

The first variable resistance layer 120 includes a first metal oxide layer 102 and a second metal oxide layer 103, and the second variable resistance layer 130 includes a third metal oxide layer 105 and a fourth metal oxide layer 106. - 特許庁

抵抗変化層２２は、アルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）およびアルミニウム酸化物よりも抵抗の低い遷移金属酸化物を含有している。例文帳に追加

A resistance change layer 22 contains aluminum oxide (AlOx) and transition metal oxide having low resistance relative to that of the aluminum oxide. - 特許庁

可変抵抗素子ＶＲは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）と遷移金属酸化物の混合物である。例文帳に追加

The variable resistance element VR is a mixture of silicon oxide (SiO2) and a transition metal oxide. - 特許庁

抵抗変化型の不揮発性記憶素子において、抵抗変化動作に適したHfを含有する金属酸化物層からなる可変抵抗層を提供する。例文帳に追加

To provide a variable resistance layer that is composed of a metal oxide layer containing Hf suitable for a resistance changing operation in a resistance change type nonvolatile memory element. - 特許庁

基板上に形成される膜パターンを、抵抗を有する金属もしくは金属酸化物と抵抗を阻害する金属酸化物で構成し、抵抗を有する金属もしくは金属酸化物の膜と抵抗を阻害する金属酸化物の膜を各々別々の膜で存在させ、膜間の境界面に、各々の膜に対して濃度勾配をもたせた膜パターンとする。例文帳に追加

The film pattern formed on a substrate is composed of a metal or a metal oxide having resistance and a metal oxide inhibiting resistance, wherein the film of the metal or the metal oxide having the resistance and the film of the metal oxide inhibiting the resistance are different from each other and a boundary surface between the films has a concentration gradient with respect to each film. - 特許庁

そして、好適な場合、ガス検知層１４ｂは、１×１０^１０Ωｃｍ未満の抵抗値を有する第１の金属酸化物と、１×１０^１０Ωｃｍ以上の抵抗値を有する第２の金属酸化物と、金属炭酸塩とを含有しており、且つ、第１の金属酸化物の抵抗値と、第２の金属酸化物の抵抗値との差の絶対値は、１×１０^３Ωｃｍ以上である。例文帳に追加

The absolute value of the difference between the resistance value of the first metal oxide and the resistance value of the second metal oxide is 1×10^3Ωcm or larger. - 特許庁

金属酸化物からなる板状単結晶体、その金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子例文帳に追加

PLATE SINGLE CRYSTAL COMPOSED OF METAL OXIDE, THIN FILM OF THE METAL OXIDE, PRODUCTION METHODS FOR THE SINGLE CRYSTAL AND THE FILM AND VARIABLE-RESISTANCE ELEMENT USING THE SINGLE CRYSTAL OR THE FILM - 特許庁

前記抵抗体層１４は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる。例文帳に追加

The resistor layer 14 comprises a transition metal oxide having insufficient oxygen. - 特許庁