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閃亜鉛鉱型構造の英語
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英訳・英語 sphalerite type structure; zinc blend structure; zinc-blende structure
「閃亜鉛鉱型構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
閃亜鉛鉱型ＣｒＳｂ、閃亜鉛鉱型ＣｒＳｂの製造方法、及び多層膜構造例文帳に追加
SPHALERITE-TYPE CrSb, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MULTILAYER FILM STRUCTURE - 特許庁
仮想的な存在にすぎなかった閃亜鉛鉱型結晶構造を備えたＭｎＡｓドットを作製する。例文帳に追加
To manufacture an MnAs dot having a sphalerite type crystal structure which has been only a virtual one. - 特許庁
基板表面を硫黄終端化することにより、通常は六方晶の結晶構造を有するＭｎＡｓが閃亜鉛鉱型の結晶構造を形成することがわかった。例文帳に追加
It is found that MnAs having a hexagonal crystal structure normally forms a sphalerite type crystal structure by sulfur termination treating the substrate surface. - 特許庁
最表面にウルツ鉱型又は閃亜鉛鉱型の窒化物半導体のＶ族極性面を有する基板上に、少なくともｐ型伝導層とｎ型伝導層を含む窒化物半導体積層構造を積層した窒化物半導体ウェハの構造とする。例文帳に追加
The nitride semiconductor wafer is formed by stacking a nitride semiconductor lamination structure including at least a p-type conductive layer and an n-type conductive layer, on a substrate wherein the group V polarity surface of a wurtzite or sphalerite type nitride semiconductor is provided on its upper most surface. - 特許庁
結晶構造が閃亜鉛鉱型を有するＭｎＭ（Ｍはシリコン，ゲルマニウム，および錫の１種あるいは２種以上の組み合わせ）である強磁性材料を用い、磁気抵抗素子を構成する。例文帳に追加
The magnetoresistive element is constituted by using the ferromagnetic material which is MnM (M is silicon, germanium, or tin or a combination of ≥2 kinds of them) whose crystal structure has a sphalerite type. - 特許庁
ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。例文帳に追加
A PBS 100 includes a first optical coupler 110, a birefringence application part 120, a birefringence adjustment part 130, and a second optical coupler 140 on a semiconductor substrate 101 having a sphalerite type structure. - 特許庁
探針の材料およびその結晶性が閃亜鉛鉱型Ｉｎ_１−Ｘ−ＹＧａ_ＸＡｌ_ＹＮ（但し０≦Ｘ、Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）結晶を少なくとも一部含む構造とした。例文帳に追加
Material of the probe and its crystallinity has a structure including at least a part of a zinc blende type In1-X-YGaXAlYN (where, 0≤X, Y, X+Y≤1) crystal. - 特許庁
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「閃亜鉛鉱型構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
ＧａＡｓ基板表面を硫黄終端化処理し、ＭＢＥ法により、終端化処理された該基板上でＭｎＡｓドットを成長させることで、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＭｎＡｓドットを作製する。例文帳に追加
The surface of a GaAs substrate is sulfur termination treated and on the termination-treated substrate, an MnAs dot is grown by an MBE method to manufacture the MnAs dot. - 特許庁
本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、ニッケルヒ素型、閃亜鉛鉱型、ウルツ鉱型、カルコパイライト型或いは岩塩型の結晶構造を有する化合物であって、２種類以上の磁性元素とカルコゲン或いはプニクトゲンとから構成されている。例文帳に追加
The half-metallic antiferromagnetic material is a compound having a crystal structure of nickel arsenic type, sphalerite type, wurtzide type, chalcopyrite type, or lock salt type, and is comprised of two or more types of magnetic elements and chalcogens or pnictogens. - 特許庁
垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。例文帳に追加
To obtain a compound semiconductor single crystal having a sphalerite-type structure, such as GaAs, in a high yield while suppressing the generation of a twin crystal in a crystal diameter increasing part without using complicated equipment, in the manufacture of a single crystal having about (100) orientation by a vertical Bridgman method. - 特許庁
ドライエッチングにより、適当なエッチングガス圧、適当な基板温度の条件下でメサ１１２の形成を行うことで、閃亜鉛鉱型化合物半導体からなる、基板面方位が（００１）から傾斜した基板１０２上に、少なくとも活性層１０４とそれを挟むクラッド層１０３、１０７からなるダブルヘテロ構造を有し、かつ水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサ状のストライプを有し、かつ前記メサのストライプ方向に垂直な断面形状が基板を下にして見たときに左右対称であり、メサ裾にだれが無い半導体レーザを製作できる。例文帳に追加
Also, mesa-shaped stripes for operating light closure to a horizontal direction are formed, and the cross section shapes vertical to the stripe directions of the mesa are made symmetrical when viewed with the substrate below so that a semiconductor laser without any sagging at the mesa fringe can be manufactured. - 特許庁
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