間接放電の英語

半導電層を持つ電気ケーブルの終端接続あるいは中間接続等に際して、部分放電を発生させない半導電層端末処理方法を提供する。例文帳に追加

To prevent the occurrence of partial discharge, at terminal connection time or middle connection of an electric cable, having a semiconductor layer. - 特許庁

単電池２０の上面と底面とが交互に一列に配列されているため、ブスバＡ３１の長さを短くでき、組電池３０を構成する際の単電池間接続抵抗が小さく大電流充放電が可能となる。例文帳に追加

Since the upper surface and the bottom surface of the unit cell are alternately arranged in one line, a bus bar A31 is shortened, connection resistance between the unit cells in the battery pack 30 is low, and high rate discharge is provided. - 特許庁

過充電時に極板上にポリマーによる直接、間接的に導電パスを部分集中的に効率的に生成することにより、内部短絡で確実に過充電状態から放電させ、過充電状態から回避することのできる高信頼性の非水電解液二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery with high reliability capable of avoiding an overcharged state by surely discharging from an overcharged state by an internal short-circuit, by partially, intensively, and effectively generating conduction paths on an electrode plate by adding overcharge additives which generates internal short-circuit directly or indirectly by polymerizing itself when overcharged. - 特許庁

発光管１０１と、発光管１０１の内部に設けられた電極１０２と、電極１０２の表面に設けられた電子放射性物質層１０３と、電極１０２の表面に直接的または間接的に設けられたセシウム化合物１０４とを備える冷陰極放電ランプ１００であって、電子放射性物質層１０３は、希土類元素を含み、セシウム化合物１０４は、融点が１０００［℃］以下である。例文帳に追加

The electron emission material layer 103 includes a rare earth element, and the cesium compound 104 has a melting point of 1,000°C or lower. - 特許庁

電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０にスピンコート法で配向膜２４、３２を形成した後、酸素ガス間接放電方式により発生させた大気圧プラズマにより、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の裏面１０７、２０７および側面１０８、２０８に付着している余計な配向膜２４０、３２０を除去する。例文帳に追加

In the electrooptical device 1, after alignment layers 24 and 32 are formed on a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 by a spin coating method, unnecessary alignment layers 240 and 320 adhered to the back surfaces 107 and 207 and side surfaces 108 and 208 of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are removed by atmospheric pressure plasma generated by an oxygen gas indirect discharging method. - 特許庁