阻止電位の英語

これによりＰ型ベース層５とＮ−型ベース層３の間のＰ型キャリア阻止層４に正孔に対して電位の低い窪み部を形成する。例文帳に追加

Consequently, a recess having a low potential for the holes is formed in the P type carrier blocking layer 4 between the P type base layer 5 and the N- type base layer 3. - 特許庁

平衡側のコイルのセンタータップを、雑音阻止手段（例えば、チョークコイル６ａ）を介してグランドライン（基準電位ライン）に接続する。例文帳に追加

A center tap of a coil on the balanced side is connected to the ground line (reference potential line) through a noise stopping means (for example, a choke coil 6a). - 特許庁

簡易な構成で且つ基準電位（グランドや電源）から伝送路へのノイズの流入を阻止する終端回路を提供する。例文帳に追加

To provide a terminating circuit that stops noise from flowing into a transmission line from reference potential (ground or power source) by a simple configuration. - 特許庁

阻止ダイオードは、高電位側スイッチング半導体素子１０２等がターンオフした時、高電位側スイッチング半導体素子の浮遊インダクタンス成分等から流れ出る電流が、レベルシフト回路内で第１駆動回路側部分から第２駆動回路側部分へ流れるのを阻止する。例文帳に追加

The blocking diode prevents a current running from the floating inductance component of a high-potential side switching semiconductor device 102 from running from the first drive circuit side to the second drive circuit side in the level shift circuit, when the high-potential side switching semiconductor device 102 is turned off. - 特許庁

並列腕は、第１の一端子対弾性表面波共振器４１、４２の反共振周波数に略一致する共振周波数を有する第２の一端子対弾性表面波共振器４３からなり、直列腕と基準電位の間に接続されており、阻止域の信号を良好に阻止している。例文帳に追加

A parallel arm is constituted to include a second one terminal pair surface acoustic wave resonator 43 with a resonance frequency which substantially coincides with the antiresonance frequency of the resonators 41 and 42, and connected between the serial arm and reference potential, so as to excellently stop the stop band signal. - 特許庁

この状態でダウンオートスイッチ１６ｄを操作すると、ダイオードＤ１を含む回路Ｌ２により、リレーコイル２３の両端子電位が同電位となり、リレーコイル２３の励磁が阻止される。例文帳に追加

In such a condition on operating an automatic down switch 16d, the relay coil 23 becomes the same potential at both terminals by a circuit L2 including a diode D1 to inhibit excitation of the relay coil 23. - 特許庁

出力端子Ｔ1 が負電位になると、補助トランジスタＱa が導通し、第２の位置Ｐ2 を含む分離領域４ｂも負電位となり、寄生トランジスタＱx の形成が阻止される。例文帳に追加

When the output terminal T1 is at a negative potential, the auxiliary transistor Qa is turned on and the region 4b including a second position P2 is also at a negative potential to prevent the formation of the parasitic transistor Qx. - 特許庁

過剰電圧保護回路（３０）は、共通バス（２０）に過剰電圧条件が存在している間、出力回路のプルアップ・トランジスタを介して高電位供給レールに流れる電流を阻止する。例文帳に追加

While the excess voltage condition exists in a common bus (20), an excess voltage protection circuit (30) blocks currents flowing through a high potential supplying rail via the pull-up transistor of an output circuit. - 特許庁