障壁高さの英語

そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

An energy barrier does not exist substantially between the emitter barrier layer 6 and the emitter layer 7, and further the height of the energy barrier of the collector barrier layer 4 is lower than the height of the energy barrier of the emitter barrier layer 6. - 特許庁

ケイ素を含む基体と、保護環境／熱障壁被覆として機能する上部障壁層、より詳細には、物品が高温の水性（水蒸気）環境に曝されるときのＳｉの気体状化学種の形成を抑制する上部障壁層とからなる。例文帳に追加

The article comprises a substrate containing silicon and a top barrier layer which functions as a protective environment/thermal barrier coating. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges by the electric-charge-separating section, and effective electric charges flowing in the electric-charge-storing section over the potential barrier are taken out as a light receiving output. - 特許庁

半導体基板１０１上に活性層１０６を含む積層構造が形成された半導体レーザ装置において、活性層１０６に電流を注入する経路中に、キャリア密度によって障壁高さまたは障壁幅が周期的に変化するキャリア障壁層１０２が設けられている。例文帳に追加

In the semiconductor laser device having a laminated structure containing an active layer 106 formed on a semiconductor substrate 101, a carrier barrier layer 102 the barrier height or width of which periodically changes depending on carrier density is provided in the route through which a current is injected into the active layer 106. - 特許庁

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。例文帳に追加

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer. - 特許庁

このバリア領域６の形成するポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さは、転送ゲート領域７によって形成されるポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さよりも低い。例文帳に追加

A height of the potential barrier formed in the barrier region 6 relative to the final transfer stage 4 is lower than a height of a potential barrier formed in the transfer gate region 7 relative to the final transfer stage 4. - 特許庁

ショットキー電極５とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さはショットキー電極３とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

The height of the Schottky barrier between the Schottky electrode 5 and the n^- semiconductor layer 2 is higher than the height of a Schottky barrier between the Schottky electrode 3 and the n^- semiconductor layer 2. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges in a charge separation section. - 特許庁