電気化学的研磨の英語

ガスタービンシュラウド上に表面凹凸要素を形成するための電気化学的研磨方法例文帳に追加

ELECTROCHEMICAL MACHINING PROCESS FOR FORMING SURFACE ROUGHNESS ELEMENT ON GAS TURBINE SHROUD - 特許庁

半導体デバイスの製造法における化学的機械的研磨に用いられ、砥粒を含有していてもｐＨに関わらず研磨性能に優れ、更に、半導体デバイスの電気特性の低下を防止しうる化学的機械的研磨用研磨液を提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing solution for chemical-mechanical polishing which is used for chemical-mechanical polishing of a manufacturing method for a semiconductor device, and has superior polishing performance irrelevantly to pH even when containing abrasive grains and further can prevent electric characteristics of the semiconductor device from becoming worse. - 特許庁

半導体基板３上に形成された被研磨物３１の凹凸形状に応じて部分的に電気伝導性が変動し得る研磨パッド１に対して、半導体基板３を押し付けながら、電解液、砥粒、及び薬液成分を含有する研磨液４１を半導体基板３と研磨パッド１の間に供給し、被研磨物３１の化学的機械的研磨を行う。例文帳に追加

While pushing a semiconductor substrate 3 against a polishing pad 1 having electrical conductivity variable partially depending on the irregular shape of an object 31 to be polished formed on the semiconductor substrate 3, polishing liquid 41 containing electrolyte, abrasive grains and a chemical component is supplied between the semiconductor substrate 3 and the polishing pad 1 and chemical mechanical polishing of the object 31 is carried out. - 特許庁

上記装置は、電気化学的研磨ステーションの一部分でよく、任意であるが、該ステーションは、化学的機械的研磨ステーションを含むシステムの一部分でよい。例文帳に追加

The apparatus may be a portion of an electrochemical polishing station, and arbitrarily, the station may be a portion of the system including a chemical mechanical polishing station. - 特許庁

絶縁膜上にタンタル系金属膜が形成された基板の研磨において、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、且つ高い研磨速度で、信頼性の高い電気的特性に優れた埋め込み型の電気的接続部の形成を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for chemical mechanical polishing which inhibits the generation of dishing or erosion and enables the formation of a highly reliable, electrically superior, embedded-type electrical joint at a high polishing speed when polishing a base plate having a tantalic metal film formed on an insulated film. - 特許庁

両端に開口部を有する金属製の中空体であって、少なくとも内面がニオブから構成される超伝導加速空洞の表面を研磨する方法において、内面をまず化学的に研磨除去する工程と続いて電気化学的に研磨除去する工程とを併用する。例文帳に追加

In this method of polishing a surface of a superconducting acceleration cavity that is a hollow body made of metal having opening parts on its both ends and having at least an inner surface made of niobium, a process for chemically polishing/removing the inner surface and then a process for electrochemically polishing/removing it are together used. - 特許庁

化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and a method for subjecting the surface of a semiconductor wafer to electropolishing, and to provide an apparatus and a method for subjecting the same to electroplating without using chemical mechanical polishing (CMP). - 特許庁

円滑な電気的研磨のために、小さな半球状の空洞が、機械的または化学的に陽極の中に作られる。例文帳に追加

For smooth electropolishing, a small hemispherical cavity is made in the anode either mechanically or chemically. 発音を聞く  - 科学技術論文動詞集