電界効果ダイオードの英語

駆動トランジスタとして、ｎ型電界効果トランジスタを使用することのできる発光ダイオード駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting diode driving circuit allowing an n-type field effect transistor to be used as a driving transistor. - 特許庁

このようなスイッチング操作により、ダイオードＤ１のリカバリー電流をＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２ではなく、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１２と抵抗Ｒ１２とを有する側路に流すことができる。例文帳に追加

By such a switching operation, the recovery current of the diode D1 can be made to flow to a bypass having the MOS field effect transistor Q12 and the resistor R12 not to the MOS field effect transistor Q2. - 特許庁

電界効果トランジスタQ1がオンしても、還流ダイオードD1の逆回復時間が０．４μＳ以下のため、還流ダイオードD1に逆極性の電圧が印加される時間は短い。例文帳に追加

When the FET the FET transistor Q1 turn on, the reverse recovery time of the diode D1 is at most 0.4 μs, so that a period when a voltage reverse polarity is applied to the diode D1 is short. - 特許庁

受光ダイオード１３から制御回路１６への電気信号の供給／非供給によりトランジスタ１７がオン／オフされ、電界効果トランジスタ１５のゲート電荷が放電／電界効果トランジスタ１５のゲートに電荷が充電され、電界効果トランジスタ１５のゲート・ソース間電圧が閾値電圧ＶＴＮ以下／以上になる。例文帳に追加

Electrical signals being supplied or not supplied from the photodiodes 13 to a control circuit 16 turn a transistor 17 on or off, to discharge electricity from the gate of a field effect transistor 15 or charge the gate of a field effect transistor 15 with electricity, and a gate/source voltage of the field effect transistor 15 becomes below or higher than a threshold voltage VTN. - 特許庁

電界効果トランジスタ４６の断線故障を検知する断線故障検知手段５２を含み、電界効果トランジスタ４６が、還流ダイオード４７の断線故障時のデューティ制御に応じて熱破壊するように設定される。例文帳に追加

The disconnection failure detecting means 52 for detecting the disconnection failure of the electric field effect transistor 46 is comprised, and the electric field effect transistor 46 is set so as to cause thermal runaway in accordance with the duty control upon the disconnection failure of the reflow diode 47. - 特許庁

バリキャップＶＣは、電界効果トランジスタＴｒ３をダイオードとして動作させ、そのドレイン及びソースに印加する電圧Ｖ２を変化させることによって、電界効果トランジスタＴｒ１のソース側の合成キャパシタンスを変化させる。例文帳に追加

The varicap VC causes the synthetic capacitance of the source side of the transistor Tr1 to vary by having an field effect transistor Tr3 function as a diode to cause a voltage V2 to vary be applied to its drain and source. - 特許庁

デバイスは、抵抗のような受動デバイス、あるいはダイオード，バイポーラトランジスタ，または電界効果トランジスタのような能動デバイスとすることができる。例文帳に追加

A device may be a passive device, e.g. a resistor, or an active device, e.g. a diode, a bipolar transistor or a field effect transistor. - 特許庁

半導体デバイス（例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）またはダイオード）の下にフィールド・シールドを組み込んだ半導体構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor structure that incorporates a field shield below a semiconductor device (e.g., a field effect transistor (FET) or a diode). - 特許庁