電荷担体の英語

第２のナノ微粒子は第１のナノ微粒子から電荷担体を受け取ると読取りビームからの光への応答を変化させる。例文帳に追加

Each second nanoparticle alters its response to light from a read beam upon receiving the charge carrier from the first nanoparticles. - 特許庁

基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例文帳に追加

The substrate is also annealed at an elevated temperature and for a duration selected to enhance the charge carrier density in the surface layer. - 特許庁

第１および第２の障壁層は、各々電荷担体が第１および第２の固定層と自由層の間を通過するに充分な薄さを有する。例文帳に追加

The first and the second barrier layers are thin enough for an electric charge carrier to pass between the first and second fixed layers and the free layer respectively. - 特許庁

その構造体２０の内部は、その外壁に設けられた貫通孔２２を経て電極１３０の電解質側端に至る電荷担体イオン通路を介して電極１３０の電解質側端に開放されている。例文帳に追加

The inside of the structures 20 is open to the electrolyte side end of the electrode 130 through a charge carrying ion passage going to the electrolyte side end of the electrode 130 through a through hole 22 provided at the outer wall. - 特許庁

深いＮウェルの縁部は、Ｎウェルの底部と接触してオーバーラップ領域２４を形成するが、このオーバーラップ領域において、電荷担体を空乏化させず、それによって深いＮウェルにＮウェルを電気的に接続することも、電荷担体を空乏化させ、それによって深いＮウェルからＮウェルを電気的に分離することもできる。例文帳に追加

Edge part of the deep N well touches the bottom part of the N well to form an overlap region 24 where charge carriers are not depleted and the N well can be connected electrically with the deep N well or where charge carriers are depleted and the N well can be separated electrically from the deep N well. - 特許庁

半導体検出器１１に加速して入射した電子は、検出器の有感層に到達し、入射電子のエネルギーに比例した電荷担体を発生させ、信号電流Ｉｓが流れる。例文帳に追加

The electron accelerated and incident to a semiconductor detector 11 reaches a sensitive layer of the detector and generates an electric charge carrier in proportion to energy of the incident electron, and a signal electric current Is flows. - 特許庁

電荷輸送層への接着性に優れ、電荷担体移動度が大きく、より厚い耐摩耗性の強靱なオーバーコートを備えた、電子写真用画像形成部材を提供する。例文帳に追加

To provide an electrophotographic image forming member having a thick and strong overcoat which is excellent in adhesion property with a charge transfer layer, which has large charge carrier mobility and wear resistance. - 特許庁

検出素子1 は導波路8 の横と上に配置された電極18、13を有し、光変換によって発生する電荷担体の効率的な収集を可能にする。例文帳に追加

The detector device has electrodes 18 and 13, placed on the side and top of the wave guide path 8 and enables efficient collection of charge carriers produced by optical transfer. - 特許庁