電荷転送デバイスの英語

電荷転送デバイス例文帳に追加

CHARGE TRANSFER DEVICE - 特許庁

電荷転送デバイス、電荷転送デバイスの転送駆動方法および装置、撮像装置例文帳に追加

CHARGE TRANSFER DEVICE AND TRANSFER DRIVING METHOD AND APPARATUS THEREOF, AND IMAGING DEVICE - 特許庁

固体撮像装置の電荷転送デバイスおよび固体撮像装置の電荷転送デバイスの駆動方法例文帳に追加

CHARGE TRANSFER DEVICE OF SOLID STATE IMAGING DEVICE AND DRIVING METHOD OF CHARGE TRANSFER DEVICE OF SOLID STATE IMAGING DEVICE - 特許庁

映像信号電荷を垂直または水平に転送する転送部70、84を含む撮像デバイス10は、撮像デバイスの部品管理情報を画像情報として記録する不揮発性メモリ72と、不揮発性メモリから部品管理情報を読み出して電荷に変換する信号／電荷変換部74とを含み、同一のデバイスパッケージ10内に収容する。例文帳に追加

The image pickup device 10 including transfer sections 70, 84 transferring video signal charges vertically or horizontally has a nonvolatile memory 72 that records component management information of the image pickup device as picture information and a signal/charge conversion section 74 that reads the component management information from the nonvolatile memory and converts the information into electric charges, and contains them into one and same device package 10. - 特許庁

このオン・チップ回路およびテスト方法は、電荷転送の際および動作状態またはバーン・イン状態のもとでの記憶の際にアクティブになるＭＯＳＦＥＴ劣化メカニズムによるセル転送デバイスの劣化を評価することを可能にする。例文帳に追加

The on-chip circuit and the testing method can evaluate deterioration of a cell transfer device by a MOSFET deterioration mechanism that becomes active at the time of electric charge transfer or storage in an operating state or burn-in state. - 特許庁

互いに異なる比に容量分割されたビット線対を有する半導体集積回路装置に対して、電荷転送デバイスを、信号電荷が、ビット線対からセンスアンプに完全に移動するのを待たずにオフさせることを可能とすること。例文帳に追加

To turn OFF a charge transfer device without waiting for perfect movement of signal charges to the sense amplifier from the bit line pair for the semiconductor integrated circuit device having the bit line pair in which capacitance is divided in the ratios which are mutually different. - 特許庁

画素サイズの微細化など素子構成要素の微細化が進んでも、光電変換部や電荷転送部などの隣接するイオン注入領域の相対位置の製造バラツキを小さく抑えることができ、これにより、高品質なＣＣＤデバイスなどの半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the semiconductor device such as a CCD device of high quality is manufactured by reducing manufacture variations in relative positions of adjacent ion implantation regions of a photoelectric conversion portion, a charge transfer portion or the like even when stuffs constituting elements are more microfabricated, for example, a pixel size is made finer. - 特許庁