電荷遷移の英語

電荷分配とＬＣＤでのビデオ出力の間で制御された遷移のための装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method for transition controlled between charge sharing and a video output in an LCD. - 特許庁

これにより、Ｋ列目の昇圧セルに入力されるクロックが「Ｌ」から「Ｈ」に遷移して昇圧を実施する前に、電荷転送トランジスタを導通状態から非導通状態に遷移させることが可能となり、電荷転送トランジスタを介した電荷の逆流を防止することができる。例文帳に追加

Hereby, a charge transfer transistor is changed from a continuity state to a non-continuity state before a clock inputted into the boosting cell in row K is changed from "L" to "H" to execute boosting, so that the counterflow of a charge via the charge transfer transistor is prevented. - 特許庁

これにより、Ｋ列目の昇圧セルに入力されるクロックが「Ｌ」から「Ｈ」に遷移して昇圧を実施する前に、電荷転送トランジスタを導通状態から非導通状態に遷移させることが可能となり、電荷転送トランジスタを介した電荷の逆流を防止することができる。例文帳に追加

Before executing step-up after a clock inputted to the step-up cells in the K-th row transits from "L" to "H", therefore, a charge transfer transistor can be changed from a conductive state to a non-conductive state, thereby preventing a charge backflow via the charge transfer transistor. - 特許庁

バケットキャパシタを最初に、反復可能な非ゼロ基準レベルまで充電して、状態遷移を起こす電荷レベルに近づける。例文帳に追加

At first, the bucket capacitor is charged up to a repeatable non-zero reference level to approach a charge level inducing the state transition. - 特許庁

新規なポリアニリン誘導体の遷移金属錯体、及び該化合物からなる静電荷像現像用帯電制御剤、及び該帯電制御剤を用いたトナー及び電荷付与剤例文帳に追加

NEW TRANSITION METALLIC COMPLEX OF POLYANILINE DERIVATIVE, ELECTROSTATIC CHARGE CONTROLLING AGENT COMPRISING THE SAME FOR DEVELOPING ELECTROSTATIC CHARGE IMAGE, TONER AND ELECTRIC CHARGE IMPARTING AGENT EACH USING SAID ELECTROSTATIC CHARGE CONTROLLING AGENT - 特許庁

新規なアニリン誘導体の遷移金属錯体、及び該化合物からなる静電荷像現像用帯電制御剤、及び該帯電制御剤を用いたトナー及び電荷付与剤例文帳に追加

TRANSITION METAL COMPLEX OF NEW ANILINE DERIVATIVE, STATIC CHARGE CONTROLLER FOR ELECTROSTATIC IMAGE DEVELOPMENT COMPRISING THE COMPOUND, TONER AND ELECTRIC CHARGE IMPARTER USING THE STATIC CHARGE CONTROLLER - 特許庁

遷移層の存在によって、窒化層と酸化層の間の応力が緩和され、窒化層と酸化層の間の電荷捕獲部位が最小化する。例文帳に追加

The presence of the transition layer alleviates the stress between the nitride and the oxide layers and minimizes charge trapping sites between the nitride and the oxide layers. - 特許庁

窒化膜ＳＩＮを水素フリーの膜で形成すると、構造遷移層付近の界面トラップが今まで以上に電荷蓄積に寄与するようになる。例文帳に追加

Forming the nitride film SIN with a hydrogen-free from causes the interface trap in the neighborhood of the structure transition layer to contribute to charge accumulation more than before. - 特許庁