みぞれ和えの英語

製造工程が簡易で、隣接素子間容量の低減及び応力緩和された溝型素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a trench type element isolating region easy in manufacturing process where the capacitance between adjacent elements is reduced and the stress is relaxed. - 特許庁

スプライン溝にかかる応力集中をこれまで以上に緩和できてスプライン軸を備えたトランスミッションを提供する。例文帳に追加

To provide a transmission having a spline shaft capable of relieving a stress concentration applied to a spline groove by a quantity more than before. - 特許庁

光導波路１Ａに生じた内部応力は、応力緩和溝５Ａが変形することで緩和され、光導波路１Ａ全体が反る等の変形が抑制される。例文帳に追加

The internal stress generated in the optical waveguide 1A is relaxed by the deformation of the stress relaxation grooves 5A and the such deformation as warpage of the whole optical waveguide 1A is suppressed. - 特許庁

下記式等で表される化合物、並びにその水和物、溶媒和物、薬剤的に許容可能な塩類、プロドラッグ、及び錯体、並びにラセミ及びスカレミック混合物、そのジアステレオマー及び鏡像異性体。例文帳に追加

This invention relates to a compound represented by a formula as indicated, its hydrate, its solvate, its pharmaceutically allowable salt, its prodrug, its complex, a racemic and scalemic mixture, its diastereomer and its enantiomer. - 特許庁

さらに、この応力緩和溝は、最初の翼列１２に関して、ロータ２に最大熱応力が発生し得る領域に配置される。例文帳に追加

The stress relaxation groove is disposed in an area where the maximum thermal stress can be generated in the rotor 2, with respect to a first blade row 12. - 特許庁

ここで、溝部３Ａの幅ｐは、開口部１１寄りの２個のコア部の厚さの和（２×ｑ）と同じか、それより小さくなっている（ｐ≦２×ｑ）。例文帳に追加

The width p of the groove part 3A is equal to the sum of the thickness of the two core parts (2×q) closer to the opening part 11, or smaller than the sum (p≤2×q). - 特許庁

振動緩和部２３は、非対称部分２２の右端部から長さＬ1の範囲であり、階段状のＶ型溝が多数形成される。例文帳に追加

The part 23 is a range of a length L1 from the right end part of the asymmetric part 22, and many steplike V-shaped grooves are formed. - 特許庁

電極基板４には、電極基板４の応力を緩和するための応力緩和溝６が絶縁部材５２が埋め込まれた裏面４ｂ側から形成されている。例文帳に追加

In the electrode substrate 4, a stress relaxation groove 6 to relax the stress of the electrode substrate 4 is formed from the rear surface 4b side where the insulation member 52 is embedded. - 特許庁