非整合構造の英語

本発明は、非構造的符号（コンバルション符号、または線形ファンクション符号）と構造的符号（ターボ符号）とのうちの１つまたは両方を使用するデータ通信システムに適用され得る伝送率整合装置及び方法を提案する。例文帳に追加

The present invention proposes a rate matching device and method applicable to a data communication system using one of or both a non-structural code (convolution code or linear function code) and a structural code (turbo code). - 特許庁

疑似位相整合型波長変換素子の作成の際において、下部構造の非反転層と反転層とのデューティー比を維持しつつ、界面と最表面を平坦にする。例文帳に追加

To flatten an interface and an uppermost surface while a duty ratio of a non-reversed layer and a reversed layer in an under part structure is maintained, when an artificial phase matching wavelength conversion element is formed. - 特許庁

高い変換効率が得られる非線形光学素子の周期分極反転構造の擬似位相整合条件を満たしつつ、レーザ光の波長幅を数ｎｍにまで拡大するレーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser device which increases the wavelength width of laser beam up to several nm while satisfying a pseudophase matching condition of a periodical poling structure of a nonlinear optical element capable of obtaining high conversion efficiency. - 特許庁

活性層における量子井戸構造の格子不整合を非常に小さくした状態を維持することにより、欠陥の発生を防ぎ、発光波長を長波長化させても高効率で発光が可能な窒化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting element capable of preventing a defect, and emitting light with high efficiency, even if the emission wavelength is made long by maintaining very small lattice mismatches of a quantum-well structure in the active layer. - 特許庁

３つの中心導体を積層した基板を具えると共に、第１乃至第３整合用コンデンサ及び終端抵抗を前記基板に重ねて配備し、然も、３つの中心導体を第１乃至第３整合用コンデンサ及び終端抵抗に簡易な組立作業により接続可能な非可逆回路素子の構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure of a non-reciprocative circuit element in which a substrate having three center conductors laminated thereon, first-third matching capacitors and a terminating resistor are provided on the substrate so as to be stuck, and the three center conductors can be connected to the first-third matching capacitors and the terminating resistor by a simple assembly work. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する例文帳に追加

In a picture matrix part, a TFT, provided with an LDD structure, is arranged by performing a non-self-alignment process using an insulator 125. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する例文帳に追加

When the protective layer is used as an etching stopper, a TFT having an LDD structure by self-aligned process using a sidewall 126 is arranged in a peripheral drive circuit, and a TFT having an LDD structure by nonself-aligned process using an insulator 125 is arranged in a pixel matrix section. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する例文帳に追加

Using the protection layer as an etching stopper, the process includes, in producing a peripheral driving circuit structure, arranging TFTs having an LDD structure through self-alignment process using sidewalls 126, while, in producing a pixel matrix, arranging TFTs having an LDD structure through non-self-alignment process using insulators 125. - 特許庁