順堆の英語

本発明の方法は、アーク蒸発による前記被膜の堆積工程、およびデュアルマグネトロンスパッタリングによる前記被膜の堆積工程を含んでなり、前記堆積が順次または同時に実施される。例文帳に追加

The method in this invention comprises: a deposition step for the film by arc evaporation; and a deposition step for the film by dual magnetron sputtering, and the deposition is performed in succession or simultaneously. - 特許庁

我々は、多くの基板が堆積チャンバ内で連続して順に処理される場合に、膜の化学気相堆積（ＣＶＤ）の堆積速度の均一性を改善する方法を有する。例文帳に追加

A method is provided, which improves the uniformity of the deposition rate of the chemical vapor deposition (CVD) of a film when a large number of substrates are continuously and successively processed in a deposition chamber. - 特許庁

半導体製造装置のクリーニング方法は、チャンバ内壁に堆積した堆積物を除去する堆積物除去ステップと、チャンバ内壁を構成する材料と同一の材料を供給するＣＶＤステップとを順次に有する。例文帳に追加

The cleaning method of a semiconductor manufacturing device has a deposit removal step for removing deposit deposited on a chamber inner wall, and a CVD step for supplying the same material as a material constituting the chamber inner wall. - 特許庁

我々は、また、堆積チャンバ内で連続して順に多くの基板の処理の最初に数枚の基板の堆積時間を調整するデバイス制御法を有するので、堆積した膜厚が一連の基板処理中に本質的に一定に保たれる。例文帳に追加

A device control method is also provided, which regulates the deposition time of several substrates in the beginning of the continuous and successive processing of a large number of substrates in the deposition chamber, and the deposited film thickness is kept substantially constant during the processing of a series of substrates. - 特許庁

半導体基板上に、多層膜４１の構成材料を順次堆積し（ｂ）、堆積された多層膜４１のうちプラグ形成予定領域及び当該プラグ形成予定領域を囲繞する領域を除去する（ｄ）。例文帳に追加

Constituent materials of a multilayer film 41 are successively deposited on a semiconductor substrate (b), and a plug formation scheduled region and the region surrounding the plug formation scheduled region are removed from the deposited multilayer film 41 (d). - 特許庁

このようなガラス堆積基板２０に対して、更に光回路の形成、オーバークラッドの堆積、薄膜ヒータの形成を順次することにより、熱光学位相変調器や熱光学光強度変調器を構成することができる。例文帳に追加

A thermooptic phase modulator and a thermooptic light intensity modulator are constructed by further sequentially subjecting the glass deposition substrate 20 to optical circuit formation, overcladding deposition and thin film heater formation. - 特許庁

真空成膜により真空チャンバ１０内で、原料物質を順次に基板上に堆積することにより被膜を形成する過程において、堆積された被膜の比抵抗を、制御装置５０により求める。例文帳に追加

In a process of depositing a film by successively depositing a raw material substance on a substrate in a vacuum chamber 10 by vacuum film deposition, the specific resistance of the deposited film is obtained by a control device 50. - 特許庁

下地酸化膜１０上にメタル導電層１１ａを堆積し、メタル導電層１１ａ上に絶縁膜１２及び酸化膜１３を順次に堆積する。例文帳に追加

A metal conductive layer 11a is deposited on a base oxide film 10, and a dielectric film 12 and an oxide film 13 are deposited on the metal conductive layer 11a one by one. - 特許庁