高ドープ域におけるの英語

バーチカルトレンチ型ＭＯＳＦＥＴにおいて、ドーパント濃度を高められた層が、ＭＯＳＦＥＴにおけるボディ領域とドレイン領域とを隔てる軽いドープをなされた領域若しくは「ドリフト」領域において形成される。例文帳に追加

In a vertical trench type MOSFET, a dopant concentration increased layer is formed in a lightly doped drain region or "drift" region that separates the body region of the MOSFET from the drain region. - 特許庁

さらに隣接するトレンチ間における不純物領域１０４中に、第２導電型高濃度不純物領域１１１と、高濃度不純物領域１１１を包含すると共に第２導電型不純物の拡散を抑制する拡散抑制元素（例えば炭素）ドープ領域１０６とが形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device further comprises: a second-conductivity-type high-concentration impurity region 111 in the impurity region 104 between the adjacent trenches; and a diffusion suppressing element (for example, carbon) doped region 106 that includes the high-concentration impurity region 111 and prevents the diffusion of a second-conductivity-type impurity. - 特許庁

電流がＩｎＧａＡｓ層２０３内の多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４との界面付近の領域（チャネル領域）を流れる際に、キャリア供給層である多重δドープＩｎＡｌＡｓ層２０４を通過するキャリアの移動に対する抵抗を低減しつつ、オフ時における耐圧を高めることができる。例文帳に追加

When a current flows through a region (channel region) near the boundary with the multiplex δ doped InAlAs layer 204 inside the InGaAs layer 203, while reducing resistance to the movement of carriers passing through the multiplex δ doped InAlAs layer 204 which is a carrier supply layer, the breakdown voltage at the time of off-state is increased. - 特許庁

ベース層１０５よりもバンドギャップが大きいコレクタ層１０３におけるセットバック層１０４とのヘテロ接合界面から１０ｎｍ程度以内の領域に、コレクタ層１０３よりも不純物濃度が高いデルタドープ層１１２が形成されている。例文帳に追加

A method for manufacturing a compound semiconductor device comprises a step of forming a delta-doped layer 112, having impurity concentration higher than that of a collector layer 103 on a region of about 10 nm or smaller, from a heterojunction interface to a set-back layer 104 of a collector layer 103, having a band gap larger than that of a base layer 105. - 特許庁