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高ドープ状態の英語
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「高ドープ状態」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
高い導電性を有する状態、すなわちドープ状態で水及び有機溶媒に可溶性であるポリアニリンの簡便な製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a simple process for preparing a polyaniline soluble to water and organic solvents in a highly electrically conductive state, i.e., in a dope state. - 特許庁
そして、炭素ドープ酸化チタン層２Ａは、チタンと炭素が結合した状態が含まれると共に、チタン系材料よりも硬度が高く形成されており、その表面は、研磨工程によって凹凸が研磨された状態に処理されている。例文帳に追加
The carbon-doped titanium oxide layer 2A contains the titanium bonded with the carbon and has a hardness higher than that of the titanium-based material, and the surface is polished to smooth its rugged face. - 特許庁
これにより、ドープする部分を非常に薄く、或いは浅く形成でき且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させる。例文帳に追加
According to this method, the part to be doped can be formed so as to be very thin or shallow and through put is improved by doping quickly under the status of high concentration. - 特許庁
被処理体に不純物元素をドープする時、このドープする部分を非常に薄く形成でき且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させることが可能なプラズマドーピング方法を提供することにある。例文帳に追加
To provide a plasma doping method which can form a part to be doped so as to be very thin and permits improvement of a through put by doping quickly under the status of high concentration, upon doping an impurity element into a workpiece by using plasma. - 特許庁
さらに、アルミニウムドープ酸化亜鉛ナノロッドの高い電子伝導性を維持した状態で結晶構造を伸長させることよって、低電気抵抗と高い開放電圧が同時に実現される。例文帳に追加
In addition, the crystal structure is made to be longer in a state, in which the high electronic conductivity of the aluminum-doped zinc oxide nanorod is kept, to simultaneously achieve low electric resistance and high open circuit voltage. - 特許庁
炭素がＴｉ−Ｃ結合の状態でドープされており、耐久性に優れ且つ可視光応答型光触媒として機能する炭素ドープ酸化チタン層を有し、レーザなどの高強度光の反射に適した鏡面を有する多機能材を提供する。例文帳に追加
To provide a multifunctional material having a mirror finished surface which has carbon doped in the state of Ti-C bond, is excellent in durability, has a carbon-doped titanium oxide layer functioning as a visible light active catalyst and is suitable for reflection of high-intensity light. - 特許庁
このレーザ装置では、信号用半導体レーザ１０から希土類ドープ光ファイバ２１にレーザ光を出射するときに、第１励起用半導体レーザ２２から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を高励起状態に励起させる。例文帳に追加
In a present laser device, a rare earth doped optical fiber 21 is excited to a high excited state by laser beams radiated from a first excitation semiconductor laser 22 when laser beams are radiated from a signal semiconductor laser 10 to the rare earth doped optical fiber 21. - 特許庁
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「高ドープ状態」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
オートドープ、パーティクル及びクラックの発生を抑制した状態で、高い成長速度を保ちながらシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。例文帳に追加
To grow a silicon epitaxial layer on a principal plane of a silicon single crystal substrate by vapor phase epitaxy at a rapid growth speed while suppressing the occurrence of auto-dope, particles, and cracks. - 特許庁
そして、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ２１を通じて、信号用半導体レーザ１０から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。例文帳に追加
Laser beams radiated from the signal semiconductor laser 10 are amplified through the rare earth doped optical fiber 21 that is in the high excited state to be radiated as amplified light. - 特許庁
化学式（３）の化合物はドープされた状態で橙色に高効率で発光し、かつ化学的に安定で、２つの材料により優れた白色発光素子が実現される。例文帳に追加
The compound represented by the chemical formula 3 efficiently emits orange color light, and is chemically stable, and an excellent white color luminescent element is realized by these two materials. - 特許庁
上部電極ＥＵ１〜ＥＵ８と下部電極ＥＬ１〜ＥＬ８とが平面視重複する、導電性高分子膜１内の領域がドープ状態遷移領域３として規定される。例文帳に追加
The region in the conductive polymer film 1 is prescribed as a dope state transition region 3. - 特許庁
半導体性を示し、アニオンでドープされた状態において高い導電性を有し、かつ大気暴露によって導電性が低下することなく大気安定性を有するチエノチオフェン共重合体を提供する。例文帳に追加
To provide a thienothiophene copolymer which exhibits semiconductor properties, has a high conductivity under a condition doped with an anion, and has an atmospheric stability without decreasing the conductive properties by exposing in the atmospheric condition. - 特許庁
抵抗スイッチ素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に、セット電圧を印加することにより、前記誘電体膜の状態を第１の抵抗状態から、より高抵抗の第２の抵抗状態に遷移させるセット電圧源と、を含み、前記誘電体膜は、非ドープまたは深い不純物でドープされたペロブスカイト膜より構成される。例文帳に追加
The resistance switch element includes a lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric film, and a set voltage source that changes the state of the dielectric film from a first resistance state to a second resistance state of higher resistance by applying a set voltage between the lower electrode and the upper electrode, wherein the dielectric film is formed of a perovskite film which is not doped or doped with a deep impurity. - 特許庁
マーキング動作時には、第２の励起用半導体レーザ２２Ｂによって高励起状態とするとともに、信号用半導体レーザ１０からのレーザパルスを入射させると、レーザパルスが希土類ドープ光ファイバ２１内で増幅されて高出力のレーザが出射する。例文帳に追加
A second exciting semiconductor laser 22B highly excites the optical fiber 21 in a marking operation and a laser pulse from a signal semiconductor laser 10 is made incident, then the laser pulse is amplified in the rare earth-doped optical fiber 21 and a high output power laser beam is emitted. - 特許庁
マーキング動作時には、第２の励起用半導体レーザ２２Ｂによって高励起状態とするとともに、信号用半導体レーザ１０からのレーザパルスを入射させると、レーザパルスが希土類ドープ光ファイバ２１内で増幅されて高出力のレーザが出射する。例文帳に追加
At marking operation, a high stimulated state is obtained by using a second semiconductor laser 22B for stimulation, a laser pulse is inputted from a semiconductor laser 10 for signal and amplified in the rare earth doped optical fiber 21, and high power laser is outputted. - 特許庁
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