高圧ゲートの英語

電源４とＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１のゲートとの間には、電源電位ＶＤＤ２から接地電位ＧＮＤまでの電圧を印加することができる厚さのゲートを有する高圧Ｐチャネル厚ゲートトランジスタＰ１が接続されている。例文帳に追加

A P-channel thick gate TR P1 having a gate with a thickness to which a voltage from a power supply voltage VDD2 up to a ground level GND is applied is connected between a power supply 4 and a gate of the N-channel MOS TR N1. - 特許庁

その際、低圧側と高圧側の各電圧端子対間でのエネルギの流れる方向を判別手段１４で判別し、その判別結果に応じて、ゲート信号生成手段１５は、スイッチング素子を駆動するインバータ用ゲート信号と整流用ゲート信号とをそれぞれ個別に生成するようにした。例文帳に追加

In this case, a determining means 14 decides the direction in which energy flows between voltage terminal pairs on the low-voltage side and high-voltage side, and a gate signal generating means 15 individually generates an inverter gate signal for driving the switching element and a rectifying gate signal, in response to the result of determination. - 特許庁

ｎ型ＭＯＳ高圧トランジスタ８のソース電極はＧＮＤに接続され、ゲート電極はチャージポンプ回路４と接続されている。例文帳に追加

The source electrode of an n-type MOS high-voltage transistor 8 is connected to a GND, while a gate electrode is connected to the charge pump circuit 4. - 特許庁

ウエストゲート配管を用いることなく、高圧段ターボチャージャの小径化を支障なく実現し得る二段過給システムを提供する。例文帳に追加

To provide a two-stage supercharging system capable of reducing the diameter of a high pressure stage turbocharger with no hindrance without using waste gate piping. - 特許庁

このため、ゲート孔３直前に配置したファブリック4を高圧、高温の溶融樹脂で痛めることはない。例文帳に追加

Consequently, the fabric 4 arranged right before a gate hole 3 is not impaired by the high pressure and high temperature molten resin. - 特許庁

Ｐ型トランジスタＴｒ２１は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに中圧電源Ｖ_Mを出力する。例文帳に追加

A P type transistor Tr21 is driven with the high-voltage electric power V_H and outputs intermediate-voltage electric power V_M to the transfer gate. - 特許庁

薄膜トランジスターは、アモルファスシリコンを堆積させ、ゲート構造を形成し、次いで、高圧酸化を用いて、層化構造を有する高性能ゲート酸化物を形成することにより作成される。例文帳に追加

The thin film transistor is manufactured so that a gate structure is formed by depositing amorphous silicon and then a gate oxide with high performance having a layering structure is formed by using high pressure oxidation. - 特許庁

レジスト２０５を剥離した後、酸化処理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Ａのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜ゲート絶縁膜２０８を形成する。例文帳に追加

After the resist 205 is stripped off, a thick gate insulating film 208 is formed by oxidation, so that a gate insulating film formed in the region A may become a desired thickness. - 特許庁