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高抵抗層の英語
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英訳・英語 high‐resistivity layer
「高抵抗層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1843件
導電層41は、相対的に高抵抗である高抵抗層と、その高抵抗層よりも低抵抗の低抵抗層とを積層して構成されている。例文帳に追加
The conductive layer 41 is composed by laminating a high resistance layer of a relatively high resistance and a low resistance layer of a resistance lower than the high resistance layer. - 特許庁
高抵抗層Gに不純物をドープし、高抵抗層Gが所定の抵抗率に調整される。例文帳に追加
The high resistant layer G is doped with an impurity and is adjusted to have a predetermined resistivity. - 特許庁
可変抵抗素子は、低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗値を変化させるように構成された可変抵抗層を備える。例文帳に追加
The variable resistive element comprises a variable resistive layer in which a resistance value changes between a low-resistance state and a high-resistance state. - 特許庁
また、このときの高抵抗層193の比抵抗(ρ_高抵抗)の最適域は、ρ_高抵抗=1×10^10〜1×10^16Ω・cmである。例文帳に追加
An optimum range of the specific resistance (ρ high resistance) of the high-resistance layer 193 is 1×10^10 to 1×10^16 Ω×cm. - 特許庁
高抵抗率の抵抗層66Cと、それよりも抵抗率の低い抵抗層66A及び66Bを同一の膜42から形成できる。例文帳に追加
A high-resistivity resistance layer 66C and resistance layers 66A and 66B of lower resistivity can be formed from the same film 42. - 特許庁
その結果、抵抗体上層部20の体積固有抵抗値は高く、抵抗体下層部18の体積固有抵抗値は低くなる。例文帳に追加
As a result, the volume resistivity value of the upper resistor layer 20 is high while that of the lower resistor layer 18 is low. - 特許庁
両端部のチューブ状抵抗部材29は低抵抗層を形成し、中央部のチューブ状抵抗部材31は高抵抗層を形成する。例文帳に追加
The tubular resistance members 29 at both the ends form low resistance layers and the middle tubular resistance member 31 forms a high resistance layer. - 特許庁
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「高抵抗層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1843件
高抵抗素子と低抵抗素子のそれぞれの抵抗値は、薄膜抵抗層の比抵抗と、高抵抗素子の場合は薄膜抵抗層の長さと幅とを調整することにより、低抵抗素子の場合は実効的な平面積を調整することにより、所望の値に設定することができる。例文帳に追加
The resistance value of each of the high resistance element and the low resistance element can be set to a desired value by adjusting the resistivity of the thin film resistance layer, and the length and the width of the thin film resistance layer in the case of a high resistance element, and an effective plane area in the case of a low resistance element. - 特許庁
低抵抗層8aと高抵抗層8bは、例えば、銅の含有量が高抵抗層8bより低抵抗層8aの方が多く、その低抵抗層8aの方が高抵抗層8bより電気抵抗が小さくなる様に構成されている。例文帳に追加
The low resistance layer 8a and the high resistance layer 8b are constituted so that, for example, the low resistance layer 8a has higher copper contents than the high resistance layer 8b and that the low resistance layer 8a has lower electric resistance than the high resistance layer 8b. - 特許庁
異方性抵抗層3dは、低抵抗方向の表面抵抗率が1kΩ以下であり、高抵抗方向の表面抵抗率が10kΩ以上であり、高抵抗の方向が、TE波の電界と平行な方向である。例文帳に追加
In the anisotropic resistant layer 3d, surface resistivity of a low resistant direction is 1 kΩ or less, surface resistivity of a high resistant direction is 10 kΩ or more, and the high resistant direction is a direction parallel to an electric field of the TE wave. - 特許庁
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。例文帳に追加
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer. - 特許庁
コンタクトCTを介して高抵抗層G表面に積層され、低抵抗層Bが形成される。例文帳に追加
A low resistant layer B is laminated and formed on the surface of the high resistant layer G through the contact. - 特許庁
積層配線基板1においては、所定の比抵抗を有する低抵抗シリコン基板2と、その所定の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗シリコン基板4とが、絶縁層3を挟んで積層されている。例文帳に追加
In this laminated wiring board 1, a low-resistance silicon substrate 2 having predetermined specific resistance and a high-resistance silicon substrate 4 having high specific resistance relative to the predetermined specific resistance are laminated by interposing an insulating layer 3. - 特許庁
絶縁層GIの表面に高抵抗層Gを形成する。例文帳に追加
A high resistant layer G is formed on the surface of the insulating layer GI. - 特許庁
高抵抗層G表面に絶縁層10を形成する。例文帳に追加
An insulating layer 10 is formed on the surface of the high resistant layer G. - 特許庁
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