The gate insulating layer 5 is formed on the first area of a substrate 1, the CG layer 6 is formed on the gate insulating layer 5, and the first silicide layer 9 is formed on the CG layer 6, respectively.例文帳に追加

ゲート絶縁層５は基板１の第１領域上に、ＣＧ層６はゲート絶縁膜５上に、第１シリサイド層９はＣＧ層６上に、それぞれ設けられる。 - 特許庁

A memory cell MC has: a control gate electrode CG provided on a principal surface of a semiconductor substrate 1 with a gate insulating film 5 interposed, an ONO film 9 provided along a side surface of the control gate electrode CG and the principal surface of the semiconductor substrate 1; and a memory gate electrode MG provided on the side surface of the control gate electrode CG and the principal surface of the semiconductor substrate 1 with the ONO film 9 interposed.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、半導体基板１の主面上のゲート絶縁膜５を介して設けられたコントロールゲート電極ＣＧと、コントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面に沿って設けられたＯＮＯ膜９と、ＯＮＯ膜９を介してコントロールゲート電極ＣＧの側面および半導体基板１の主面上に設けられたメモリゲート電極ＭＧとを有する。 - 特許庁

The automatic assembling apparatus 3 performs shape optimization processing of 3DCAD data 7' having a file name included in the target component file name list 39 and eliminates data of unseen parts to thereby generate optimized CG data 40 for each component and generates an assembly file having a hierarchical structure as assembled CG data 9' by reading the optimized CG data 40.例文帳に追加

自動組み上げ装置３は、対象部品ファイル名リスト３９に含まれるファイル名を持つ３ＤＣＡＤデータ７’の形状最適化処理を行い、見えない部分のデータを削除することにより、部品毎の最適化ＣＧデータ４０を生成し、最適化ＣＧデータ４０を読み込んで階層構造をもったアセンブリファイルを組み上げ済みＣＧデータ９’として生成する。 - 特許庁

This device is provided with a CG(computer graphics) data read part 5, a CG data storage part 6, a view point information calculation part 7, a view point information storage part 8, a first rendering processing part 9, a reflection information calculation part 10 and a second rendering processing part 11.例文帳に追加

画像生成装置１はＣＧデータ読み込み部５、ＣＧデータ記憶部６、視点情報算出部７、視点情報記憶部８、第１レンダリング処理部９、反射情報算出部１０、第２レンダリング処理部１１を有する。 - 特許庁

This can conform an area of a region in which a charge storage layer 17 and a controlling gate CG face even the height of the rising part 27 is different between the memory cells of a position (A) and a position (B) of the substrate 9.例文帳に追加

このため、半導体基板９の位置（Ａ）のメモリセルと位置（Ｂ）のメモリセルとで、立上り部２７の高さが異なっていても、電荷蓄積層１７と制御ゲートＣＧとが対向する領域の面積を同じにできる。 - 特許庁

The letter data written in the buffers 30 and 31 are transferred to a video controller 19 and a CG-RAM of an LCD controller 32 and displayed on a VDT 20 and an LCD 33 on an operation panel display device 9.例文帳に追加

各データバッファ３０，３１に書き込まれた文字データはビデオコントローラ１９およびＬＣＤコントローラ３２のＣＧ−ＲＡＭに転送され、ＶＤＴ２０および操作パネル表示装置９上のＬＣＤ３３に表示される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is provided with a gate insulating layer 5, a control gate (CG) layer 6, a first silicide layer 9, a potential accumulating layer 7, a memory gate (MG) layer 8, and a second silicide layer 10.例文帳に追加

ゲート絶縁層５、コントロールゲート（ＣＧ）層６、第１シリサイド層９、電荷蓄積層７、メモリゲート（ＭＧ）層８及び第２シリサイド層１０を具備する不揮発性半導体記憶装置を用いる。 - 特許庁

When the character is not modified the font manager 8 applies the memory destination of character image data to the imaging manager 9 and the imaging manager 9 reads the character image data from the CG-ROM 6 directly to form printing image data to store the same in the image buffer 5.例文帳に追加

文字修飾を行わない場合、フォントマネージャ８は文字イメージデータの記憶先アドレス等をイメージングマネージャ９に通知し、イメージングマネージャ９は、直接CG-ROM６から文字イメージデータを読み出して印刷用イメージデータを生成し、イメージバッファ５に格納する。 - 特許庁

A multilayer film S is constituted of a layer structure of a silicon oxide film 7, a silicon nitride film 8, and a metal oxide film 9, and the multilayer film S is formed by being interposed between a control gate electrode CG and a silicon nitride film 6.例文帳に追加

積層膜Ｓが、シリコン酸化膜７、シリコン窒化膜８、金属酸化物膜９の積層構造によって構成されており、当該積層膜Ｓが制御ゲート電極ＣＧとシリコン窒化膜６との間に介在して形成されている。 - 特許庁

In an n-channel cell transistor where a control gate CG is stacked on a floating gate FG through an interlayer insulation film 8, the cell transistor is buried channel type and the floating gate FG is composed of a p-type polysilicon film 9.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ上に層間絶縁膜８を介してコントロールゲートＣＧを積み重ねたｎチャネル型セルトランジスタにおいて、このセルトランジスタを埋め込みチャネル型とし、さらに上記フローティングゲートＦＧをｐ型の多結晶シリコン膜９で構成するものである。 - 特許庁

When a character is modified a font manager 8 copies the character image data read from a CG-ROM 6 to store the same in a work memory 7 to perform modification processing and an imaging manager 9 reads the character image data from the work memory 7 to form printing image data to store the same in an image buffer 5.例文帳に追加

文字修飾を行う場合、フォントマネージャ８は、CG-ROM６から読み出した文字イメージデータをワークメモリ７にコピーして修飾処理を行い、イメージングマネージャ９は、ワークメモリ７から文字イメージデータを読み出して印刷用イメージデータを生成し、イメージバッファ５に格納する。 - 特許庁

For a second gate insulation film provided at an area to a polycrystalline silicon 9 in a control gate electrode CG, a first insulation film 7 and a second insulation film 8 are formed on the end face of the floating gate electrode and at the upper end of the active region 3, and the second insulation film 8 is formed on the upper surface of the floating gate electrode.例文帳に追加

コントロールゲート電極ＣＧの多結晶シリコン９との間に設ける第２のゲート絶縁膜は、フローティングゲート電極の端面および活性領域３の上端部に第１の絶縁膜７と第２の絶縁膜８、フローティングゲート電極の上面に第２の絶縁膜８を形成する構成である。 - 特許庁