At the time of chopping the silicon substrate, a [001]-direction component is set to ≤±0.2° (excluding 0°) when the inclined angle (off-angle) of the normal line is disassembled into the [001]-direction component and a [010]-direction component.例文帳に追加

このとき、法線の傾斜の角度（オフアングル）を［００１］方向成分と［０１０］方向成分とに分解したとき、［００１］方向成分を、±０．２°以内（０°を除く。）とする。 - 特許庁

In a magnetoresistive element, electrodes disposed on both sides of a single-crystal MgOx(001) or oxygen vacant poly-crystal MgOx (0<x<1) layer 503 in which the (001) crystal plane is preferentially oriented comprise an amorphous ferromagnetic alloy, such as CoFeB layers 501 and 505.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、単結晶ＭｇＯ_ｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損多結晶ＭｇＯ_ｘ（０＜ｘ＜１）層５０３の両側に設けられる電極として、アモルファス強磁性合金、例えばＣｏＦｅＢ層５０１、５０５を用いた点に特徴がある。 - 特許庁

By forming a pattern on the wafer, with which the orientation flat is formed therewith in any one direction among '01 bar 0', '001 bar', '001' and '010', respective chips are arrayed to cross the direction of '01 bar 1 bar' at 45° and dicing is enabled.例文帳に追加

オリエンテーションフラットを、［０１バー０］、［００１バー］、［００１］、［０１０］のいずれかの方向に形成したウェハにパターンを形成することで、［０１バー１バー］方向に対して４５度に交差するように各チップが配列され、ダイシングできる。 - 特許庁

A normal line 1 of a piezoelectric device end surface lies, when a polarization direction 3 is assumed to be a [001] axis of a pseudo-cubic crystal, within a range of 0 to 15° or 40 to 50° with respect to a direction n perpendicular to a domain structure existent in a crystal plane including [010] and [100] axes orthogonal to the polarization direction 3.例文帳に追加

分極方向３を擬立方晶の〔001〕軸としたとき、圧電素子端面の法線方向１が、分極方向３に直交する〔010〕及び〔100〕軸を含む結晶平面内に存在するドメイン構造と直交する方向ｎに対し０〜15°の範囲内、または、40〜50°の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

For instance, when the immediately following instruction strings A, B and C are confirmed and a true execution pattern is 001, the string A is not executed (1) and strings B and C are executed (0) under the true deciding condition.例文帳に追加

例えば、直後の命令列がＡ、Ｂ、Ｃと存在し、真の実行パターンが００１である場合、判定条件が真の場合には直後の命令Ａを不実行（１）とし、命令列Ｂ、Ｃを順次実行する（０）。 - 特許庁

The skin moisturizing cosmetic composition preferably contains the Portulaca oleracea extract in an amount of 0.001-20 wt%, the Natto gum in an amount of 0.00001-10 wt%, the hyaluronic acid in an amount of 0.00001-10 wt%, and the honey extract in an amount of 0.00001-10 wt%.例文帳に追加

特にポーチュラカ抽出物を0．001〜20重量％、納豆ガムを0.00001〜10重量％、ヒアルロン酸0.00001〜10重量％、及び蜂蜜抽出物0.00001〜10重量％を含有する皮膚保湿用化粧料組成物が好適である。 - 特許庁

When the marking procedure is set and inputted in a sequence setting table 84, the sequence of the starting number 001 → stop → the starting number 002 → starting 003 → the sequence of the jump 001 is set at the sequence number 0, and the sequence of the starting number 010 → the starting number 200 → END is set at the sequence 1.例文帳に追加

マーキング手順をシーケンス設定表８４に設定入力する場合、シーケンス番号０において起動番号００１→停止→起動番号００２→起動番号００３→ジャンプ００１のシーケンスが設定され、シーケンス１において起動番号０１０→起動番号２００→終了ＥＮＤのシーケンスが設定されている。 - 特許庁

When data of '001' is written in memory cells S1-S3 on the same word line WLn, a current is made to flow from one side of a word line WLn and bit lines BLn-1 to BLn+1 to the other side, and '0' is written in M cells S1-S3.例文帳に追加

同一のワード線ＷＬｎ上のメモリセルＳ１〜Ｓ３に’００１’のデータを書き込む場合、ワード線ＷＬｎ、およびビット線ＢＬｎ−１〜ＢＬｎ＋１の一方から他方にかけて電流を流し、メモリセルＳ１〜Ｓ３に’０’をそれぞれ書き込む。 - 特許庁

This monomer formulation for plastic optical materials containing a polymerizable monomer having a methacryl group or acryl group in a molecule, a monomer formulation composed of an amide compound having a vinyl group, and a photochromic compound includes 0. 001 to 10 pts.wt. of the photochromic compound with respect to 100 pts.wt. of the monomer formulation.例文帳に追加

分子内にメタクリル基又はアクリル基を有する重合性単量体、及びビニル基を有するアミド化合物からなる単量体組成物とフォトクロミック化合物とを含有するプラスチック光学材料用単量体組成物であって、単量体組成物１００重量部に対してフォトクロミック化合物０．００１〜１０重量部を含有するプラスチック光学材料用単量体組成物。 - 特許庁

This piezoelectric element 1 contains a substrate 2, a buffer layer 5 formed above the substrate 2, and a piezoelectric layer 6 having a perovskite type structure and formed above the buffer layer 5, and the buffer layer 5 comprises YBa_2Cu_3O_7-δ orientated preferentially to axis c (001), wherein δ is in the range of 0≤δ≤0.6.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子１は，基板２と、基板２の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された、ペロブスカイト型構造を有する圧電体層６と、を含み、バッファ層５は、ｃ軸（００１）に優先配向しているＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−δからなり、δは，０≦δ≦０．６の範囲である。 - 特許庁