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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > 10:10 (film)の意味・解説 

10:10 (film)の英語

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ウィキペディア英語版での「10:10 (film)」の英訳

10:10 (film)

出典:『Wikipedia』 (2011/03/06 08:51 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用
引用
10:10 (Bengali: দশটা দশ) is a 2008 Bengali comedy film directed by Arin Paul. It features Soumitra Chatterjee, Kanchan Mullick, Claudia Ciesla, Subrata Dutta and Aparajita Ghosh Das.

「10:10 (film)」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12226



例文

I missed (seeing) the first 10 minutes of the film.発音を聞く例文帳に追加

私はその映画の最初の 10 分を見損なった. - 研究社 新和英中辞典

An insulating film (20) is formed on a semiconductor substrate (10).例文帳に追加

半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。 - 特許庁

Finally, the peeling layer 10 is removed with a selective etchant, together with the end-face protective film adhering to the layer 10.例文帳に追加

その後、剥離層10上に付着した端面保護膜ごと剥離層10を選択エッチング液で除去する。 - 特許庁

A semiconductor thin film of good crystallinity is formed by performing solid phase growth for a non-single crystalline semiconductor thin film whose hydrogen content is10^19 to10^20 cm^-3 and spin density is 2×10^19 to10^19 cm^-3.例文帳に追加

含有水素量が7×10^19〜3×10^20cm^−3、スピン密度が2×10^19〜5×10^19cm^−3である非単結晶半導体薄膜を固相成長して、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

A thin-film capacitor is arranged on a semiconductor substrate (10).例文帳に追加

半導体基板(10)の上に薄膜キャパシタが配置されている。 - 特許庁

This film is of 2 to 10 micron and made by a chemical vapor deposition.例文帳に追加

この被膜は2〜10ミクロンで化学蒸着法によって形成される。 - 特許庁

例文

At this point, an internal stress applied to the dry film is controlled below 10^8 dyn/cm^2.例文帳に追加

その際に乾燥膜に働く内部応力を10^8dyn/cm^2以下にする。 - 特許庁

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「10:10 (film)」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12226



例文

A through-hole 10 is formed on a film coating a head section 10 of a golf club.例文帳に追加

ゴルフクラブのヘッド部を被覆するフィルムに透孔を設ける。 - 特許庁

In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is10^18 to10^19 atoms/cm^3.例文帳に追加

ボロンの濃度が4×10^18〜2×10^19atoms/cm^3で、錫の濃度が1×10^18〜2×10^19atoms/cm^3であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 特許庁

The connection hole plug is provided with a Ta film 9(barrier metal), Cu film 10, and TaN film 21 whose film thickness is about 30 nm on the Cu film 10.例文帳に追加

接続孔プラグは、Ta膜9(バリアメタル)、Cu膜10、及びCu膜10上の膜厚約30nmのTaN膜21を有する。 - 特許庁

A lamination film consisting of a (88FeNi/20FeNi)×10 layer is prepared so that the main magnetic film is 2 μm in total.例文帳に追加

主磁性膜が合計2μmとなる様(88FeNi/20FeNi)×10層からなる積層膜を作製した。 - 特許庁

On the whole surface of DLC film 10, an overcoat 12 that protects the DLC film 10 is provided.例文帳に追加

DLC膜10上全面にDLC膜10を保護する保護膜12設けている。 - 特許庁

Then, by drawing up the glass tube (10), the dried film 20a blocking the tube inlet is transferred and formed (Fig.(c)) at the end-face side of the glass tube 10.例文帳に追加

次に、ガラス管10を引き上げることにより、ガラス管10の端面側に、管口を閉塞する乾燥膜20aが転写形成される(図1(c))。 - 特許庁

The saturation magnetization of the second magnetic layer 5 is made 8.80×10^-2-1.76×10^-1 Wb/m^2 and the gas pressure on the film forming of the second magnetic layer 5 is made 0.6-3.0 Pa.例文帳に追加

第2の磁性層5の飽和磁化を8.80×10^-2〜1.76×10^-1Wb/m^2とし、第2の磁性層5の成膜時のガス圧を0.6〜3.0Paとする。 - 特許庁

例文

As a result, the internal stress of this film typically becomes -5×10^10 to10^10 dyn/cm^2, preferably -10^10 to 10^10 dyn/cm^2, and the film has high thermal conductivity, so that it becomes possible to prevent deterioration due to heat generation during an on-operation of the TFT.例文帳に追加

その結果、この膜の内部応力は、代表的には−5ラ10^10dyn/cm^2 〜5ラ10^10dyn/cm^2 、好ましくは−10^10dyn/cm^2 〜10^10dyn/cm^2 となり、高い熱伝導性を有するため、TFTのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 - 特許庁

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