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4極スパッタリングの英語
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英訳・英語 tetrode sputtering
「4極スパッタリング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
更に、バリアメタル層３上にスパッタリング法により、Ｉｒ下部電極４を形成する。例文帳に追加
In addition, an Ir lower-part electrode 4 is formed on the barrier metal layer 3 through the sputtering method. - 特許庁
蒸着によって形成された陰極４の上にスパッタリングによって金属膜５が積層されると、スパッタリングによって形成された金属膜５の側に、陰極４に対して相対的に引っ張り応力が生じている。例文帳に追加
By laminating the metallic film 5 by sputtering on the cathode 4 formed by vapor deposition, tensile stress is relatively produced against the cathode 4 on the side of the metallic film 5 formed by the sputtering. - 特許庁
その結果、電極の表面積が増大して電極表面電流密度が低下するので、スパッタリングが低減する。例文帳に追加
As a result, because surface area of the electrode 4 is increased and electrode surface current density is lowered, sputtering is reduced. - 特許庁
また、電極４のスパッタリングによる黒化はキャップ体５内に留まるため、その有効発光長がライフサイクル全体にわたり維持される。例文帳に追加
In addition, since blackening due to spattering of the electrodes 4 stays inside the cap 5, the effective light emission range is maintained through the entire life cycle. - 特許庁
密着層４は例えば透明電極２と同じＳｎＯ_2やＩＴＯから成り、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成される。例文帳に追加
Like a transparent electrode 2, the tight attaching layer 4 consists, for example of SnO_2 and ITO, and is formed through the CVD method or sputtering method. - 特許庁
ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。例文帳に追加
A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less. - 特許庁
陰極１とベイン３を備える陽極２とを有するマグネトロンは、絶縁表面４を有し、該表面は、陰極と対面し、陰極でのスパッタリングによる陰極からの材料を受け取る。例文帳に追加
The magnetron provided with a cathode 1 and an anode 2 having vanes 3 has an insulated surface 4 which opposes to the cathode and receives a material from the cathode due to sputtering at the cathode. - 特許庁
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「4極スパッタリング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。例文帳に追加
Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4. - 特許庁
電極２ａおよび電極４として、それぞれ、基板１および５の上にＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ）などの透明導電層をスパッタリング法などによって形成する。例文帳に追加
The electrode 2a and the electrode 4 are formed by a sputtering method of sputtering a transparent conductive layer such as FTO (tin oxide doped with fluorine) respectively on substrates 1 and 5. - 特許庁
絶縁放熱基板１上に電極層６で配線パターンを形成、ニッケル合金を用いてスパッタリングにより抵抗体を形成し突入電流抑制抵抗器４、回生抵抗器５とする。例文帳に追加
A wiring pattern is formed from an electrode layer 6 on an insulating heat-radiation substrate 1 and a resistor is formed by sputtering using nickel alloy to provide an inrush current suppression resistor 4 and a regeneration resistor 5. - 特許庁
アノード電極４で飛行方向が曲げられたスパッタリング粒子３０の軌道が修正され、基板台１６上の基板１７表面に垂直に入射する。例文帳に追加
The orbit of sputtering particles 30 whose flying direction is bent by the anode electrode 4 is corrected, and the particles are vertically made incident on the surface of a substrate 17 on the substrate stand 16. - 特許庁
本体部２には冷却水を循環させるための水路４が設けられ、電極用プレート２Ｃがスパッタリングターゲット３を保持する側に配置されている。例文帳に追加
The main body part 2 has a water channel 4 placed therein for circulating a cooling water, and has the plate 2C for the electrode arranged on a side on which the sputtering target 3 is held. - 特許庁
太陽電池１０は、透明基板１と、透明導電膜２と、スパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、金属電極５とからなる。例文帳に追加
The solar battery 10 comprises a transparent substrate 1, a transparent conductive film 2, a p-layer 3 and an n-layer 4 which are formed by sputtering, and a metal electrode 5. - 特許庁
グレーズ層２上に発熱体３を薄膜形成した後に、スパッタリング法または蒸着法にて電極４と導通部５とを同時に形成し、更に保護膜６をその上に形成する。例文帳に追加
After a thin film of heating element 3 is formed on a glaze layer 2, an electrode 4 and a conductive part 5 are formed simultaneously by sputtering or deposition and a protective film 6 is formed thereon. - 特許庁
円筒形ターゲットの内部にマグネットを搭載し、この円筒形ターゲットを複数配置したスパッタリング装置において、円筒形ターゲットを一対の電極間に概ね平行に、かつ概ね等間隔に配置する。例文帳に追加
In a sputtering device in which the inside of a cylindrical target 4 is mounted with a magnet, and the cylindrical targets are plurally arranged, the cylindrical targets are arranged approximately parallel to a space between a pair of electrodes and also approximately at equal intervals. - 特許庁
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tetrode sputtering
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