1979年（昭和54年）4月16日-京阪500形電車(2代)営業運転開始。例文帳に追加

April 16, 1979: Keihan model 500 electric cars (second generation) were put into commercial operation.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この光スイッチ(200)は、導波路(500)が形成される面と一致しないように導波路(500)に沿って導波路基板(100)表面に形成されるため、導波路(500)の集積化は制限されない。例文帳に追加

The optical switches (200) are formed on the surface of the waveguide substrate (100) along the waveguides (500) so as not to be flush with the surface formed with the waveguides (500) and therefore the integration of the waveguides (500) is not restricted. - 特許庁

ヒトあるいは動物の体内に固形物(500)を注入するためのデバイス(100)は、固形物(500)を収容するための第１の管状内部を備えた注入器本体(300)と、注入器本体(300)内で固形物(500)を保持するための保持デバイスと、第２の管状内部を備えたニードル(200)とを具備してなる。例文帳に追加

The device (100) for injecting the solid (500) into a human or animal body comprises a syringe body (300) with a first tubular interior for receiving the solid (500), a retaining device for retaining the solid (500) in the syringe body (300), and a needle (200) with a second tubular interior. - 特許庁

デナ500形を除き全て当線区での新造（実質車体新成含む）車両となっている。例文帳に追加

Except for the Dena Type 500, all the cars were newly built for the line (including new bodies).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

クッション500は、複数のベント542が形成されているテダー541を有する第1のパネル540を含む。例文帳に追加

The cushion 500 includes a first panel 540 having a tether 541 with a plurality of vents 542 formed therein. - 特許庁

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。例文帳に追加

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C. - 特許庁

本発明の一実施形態によるMRAMの論理データブロックを消去する方法(500)が開示される。例文帳に追加

The method (500) of erasing a logical data block of a MRAM (magnetic random access memory) is disclosed. - 特許庁

6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成する。例文帳に追加

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on a 6H-SiC substrate 11, then the temperature is turned to 1050°C and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm. - 特許庁

これによりタブ５００は（Ａ）〜（Ｆ）のように変形する。例文帳に追加

Thus, a tab 500 is deformed as shown in Figs.(A) to (F). - 特許庁

これによりタブ５００は（Ａ）〜（Ｆ）のように変形する。例文帳に追加

Thus, a tab 500 is deformed as shown in (A) to (F). - 特許庁

端子110 は、電子部品300 から基板500 方向に突出し、その先端側の部分が、基板500 の表面に対し傾斜してあい対する斜面を持つように折り曲げられて形成される。例文帳に追加

The terminal 110 is projected from the electronic component 300 to the substrate 500, and the portion at the top end side is formed so as to be bent with opposite oblique faces inclined to the surface of the substrate 500. - 特許庁

ファーブラシ５０２は固形潤滑剤５００と当接して回転し、固形潤滑剤５００の一部分を削ぎ取る。例文帳に追加

The fur brush 502 rotates by abutting on the solid lubricant 500 and chips off a portion of the solid lubricant 500. - 特許庁

圧縮成形が、冷間鍛造とすることが好ましく、また、圧縮成形を施したのち、さらに500 ℃以上の温度で焼鈍を施すことが好ましい。例文帳に追加

The compression molding is preferably done through cold forming, and also annealing is preferably carried out at a temperature of 500°C or higher, after subjecting it to compression molding. - 特許庁

京都造形芸術大学　※本校舎は駅から東へ500mほど離れている。例文帳に追加

Kyoto University of Art and Design (The university building stands about 500 meters east of the station.)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この形成したコバルト酸化物膜の膜厚が、５００ｎｍ以上である。例文帳に追加

The film thickness of the formed cobalt oxide film is 500 nm or more. - 特許庁

別の実施形態では、膜の断面積が約５００ｍｍ^2である。例文帳に追加

In another embodiment, the sectional area of the membrane is about 500 mm^2. - 特許庁

別の実施形態では、膜の断面積が約５００ｍｍ^２である。例文帳に追加

In another embodiment, the sectional area of the membrane is about 500 mm^2. - 特許庁

東西約500メートル、南北約400メートル、ほぼ矩形だが厳密には東側から見て凸型となっている。例文帳に追加

It is approximately rectangular, about 500 meters from east to west, and 400 meters from north to south, though it does have a slight 凸 shape, looking from the east.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

固有の蒸着角度に方向付けされた蒸着ソース500から蒸着マスク302のアパーチャ306を通して、材料308を基板300上に形成する。例文帳に追加

Material 308 is deposited onto a substrate 300 through the apertures 306 of the deposition mask 302 from at least one deposition source 500 oriented at unique deposition angles. - 特許庁

MBE法を用い、成長温度300℃〜500℃で成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層１３が形成できる。例文帳に追加

When the GaAs cap layer 13 is grown at a growth temperature of 300 to 500°C through an MBE method, the cap layer 13 substantially having no projection can be formed. - 特許庁

SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を20nm程度の膜厚で形成し、温度を1050℃にしてGaN層13を3μm程度成長させる。例文帳に追加

An AlN buffer layer 12 is formed with the film thickness of about 20 nm at a temperature 500°C on an SiC substrate 11, the temperature is turned to 1050°C, and a GaN layer 13 is grown for about 3 μm. - 特許庁

前記基板５００上に絶縁層５０３を形成させるために前記基板５００の両表面上に絶縁材料５０３が被覆される。例文帳に追加

In order to form insulating layers 503 on the substrate 500, both surfaces of the substrate 500 are coated with an insulating material 503. - 特許庁

画像形成装置１０は、画像形成部５００において画像データに応じたトナー像を形成する。例文帳に追加

The image forming apparatus 10 forms a toner image corresponding to image data by an image forming section 500. - 特許庁

逐次成形工具５２０で素材を型部材５００の形状に成形する。例文帳に追加

The base material is formed into the shape of the die member 500 with a sequential forming tool 520. - 特許庁

光入力信号ISを減衰させる光可変減衰器400を制御回路500によって制御する光インタフェース回路1000において、制御回路500と光可変減衰器400との間に、光可変減衰器400に含まれるコイル(インダクタンスL)と微分回路を形成する抵抗R1を設ける。例文帳に追加

The optical interface circuit 1000 which controls the optical variable attenuator 400 for attenuating the optical input signal IS by the control circuit 500 is provided with a resistor R1 forming a differentiating circuit with a coil (inductance L) included in the optical variable attenuator 400 between the control circuit 500 and the optical variable attenuator 400. - 特許庁

成形溝１０ａのピッチ及び深さはμ単位、例えば１０〜５００μで形成されている。例文帳に追加

The pitch and depth of the shaping channel 10a are formed in μ scale, for example, 10 to 500 μ. - 特許庁

ごみを固形化した固形燃料（ＲＤＦ）を、500〜1000℃の乾留温度で乾留することにより活性炭を製造する。例文帳に追加

A solidified refuse fuel is carbonized at a carbonization temperature of 500-1,000°C. - 特許庁

画像形成システム５００は，画像形成システム５００に属するＭＦＰ１００，１０１，１０２，１０３が個々に位置ずれや濃度ずれの補正量の取得を行う取得処理を行うにあたって，サーバ２００が画像形成システム５００に属するＭＦＰの印刷可否の状態を確認する。例文帳に追加

In the image forming system 500, when each of MFPs (multifunction peripherals) 100, 101, 102 and 103 belonging to the image forming system 500 executes an acquisition process for acquiring a correction value of a deviation in the position or concentration of an image, a server 200 confirms whether each of MFPs belonging to the image forming system 500 is capable of performing the image print process. - 特許庁

平面視において液晶装置５００の画像表示領域１０ａを含む矩形領域８２３内に、液晶装置５００の下面に線接触する頂部８２１ａを有する逆Ｖ字形状の波型部８２１が形成されたステージ８０１により、液晶装置５００を支持する。例文帳に追加

A liquid crystal device 500 is supported by a stage 801 in which a waveform part 821 of an inverted V shape, having a top portion 821a in line contact with the bottom surface of the liquid crystal device 500 is formed in a rectangular area 823, including an image display area 10a of a liquid crystal device 500 in a plan view. - 特許庁

ランプ上昇波形を発生するためにコンデンサ（５０１）に充電する充電回路（５００）を含む。例文帳に追加

This circuit and the system include a charging circuit (500) for charging a capacitor (501) to generate a ramp-up waveform. - 特許庁

前記ｎ形層は、窒化物半導体を含み５００ナノメートル以下の厚さを有する。例文帳に追加

The n-type layer contains a nitride semiconductor and has a thickness of 500 nanometers or less. - 特許庁

前記パルス波形の最高電圧は、５Ｖ〜７Ｖであり、周波数は１００Ｈｚ〜５００Ｈｚである。例文帳に追加

The highest voltage in the pulse waveform is 5 to 7 V, and the frequency is 100 to 500 Hz. - 特許庁

オーステナイト系ステンレス鋼の素地11にビッカース硬度５００以上のメッキ層12を形成する。例文帳に追加

A plating layer 12 of ≥500 in Vicker hardness is formed on a base 11 made of austenitic stainless steel. - 特許庁

接着／層間領域は、半導体ウェハのインレイド構造（４００，５００）内に形成する。例文帳に追加

A bonding/interlaminar region is formed inside inlaid structures (400, 500) of a semiconductor wafer. - 特許庁

強誘電体膜６００は、下部電極部５００と同じパターンで形成されている。例文帳に追加

The ferroelectric substance film 600 is formed into the same pattern as the lower electrode part 500. - 特許庁

ブラケット４００とラジエータタンクキャップ２２３との間に空隙部５００を形成する。例文帳に追加

An air gap 500 is formed between a bracket 400 and a radiator tank cap 223. - 特許庁

サーマルアクチュエータ５００を実質的にまっすぐなビーム５１０により形成する。例文帳に追加

A thermal actuator 500 is formed with a substantially straight beam 510. - 特許庁

金属膜が丸まって基板平面から離れ、ばね構造５００を形成する。例文帳に追加

The metal film curls and is released from the substrate surface and thus a spring structure 500 is formed. - 特許庁

回転するファーブラシ５０２を介し、固形潤滑剤５００を像担持体２へ塗布する。例文帳に追加

The solid lubricant 500 is applied to an image carrier 2 via a rotating fur brush 502. - 特許庁

製本システムは、画像形成装置１０とくるみ製本装置５００とから構成される。例文帳に追加

The bookbinding system includes an image forming device 10 and bookcasing device 500. - 特許庁

本実施形態では、ガラス基板（２１０）の基板の歪み点温度は、約５００℃である。例文帳に追加

In the present embodiment, the temperature of a distortion point of the glass substrate (210) is approximately 500°C. - 特許庁

画像形成装置１１０は、記録紙５０１を格納する記録紙格納部５００を備える。例文帳に追加

The image forming apparatus 110 is equipped with a recording paper storage section 500 which stores recording paper 501. - 特許庁

モジュラジャック５００には開口部５１０の中にロック用部材５２０が形成されている。例文帳に追加

The modular jack 500 has a locking member 520 formed in an opening part 510. - 特許庁

出力回路４００、５００を、垂直方向に走査されるＥＬＡ照射によって形成する。例文帳に追加

Output circuits 400 and 500 are formed by ELA radiation scanning in a vertical direction. - 特許庁