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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和専門語辞典 > A and not B gateの意味・解説 

A and not B gateとは

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主な意味Aアンド・ノット・Bゲート

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「A and not B gate」の意味

A and not B gate

Aアンド・ノット・Bゲート


「A and not B gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

At that time, because the IC cards A, B are nearly simultaneously processed when normally used, it is decided whether or not the other IC card is used in the automatic ticket gate or the like 51 or another automatic ticket gate or the like 51 within a prescribed time after one of the IC card A and the IC card B is used in the automatic ticket gate or the like 51.例文帳に追加

このとき、ICカードA,Bは正常に使用されれば略同時に処理されるので、ICカードA又はICカードBのいずれか一方が自動改札等51で使用されてから所定時間内に他方のICカードが、その自動改札等51又は他の自動改札等51で使用されたか否かを判定する。 - 特許庁

When the disconnection failure does not occur in the second gate signal line 22, a gate signal B is delayed with respect to a drive signal A by a gate capacitor 27, and the gate signal B reaches a reference voltage V_ref after a timer signal D has fallen to a Lo-level.例文帳に追加

第2ゲート信号線路22に断線故障が発生していない場合、ゲート信号Bは、駆動信号Aに対してゲートコンデンサ27によって遅延し、ゲート信号Bが基準電圧V_refに達するのが、タイマ信号DがLoレベルに立下がった後になる。 - 特許庁

When the game ball B is guided into a second gate guidance route 50 without winning in the first gate 12, hitting against adjustment pins 10A and 10B of the first gate 12, the possibility that the game ball B wins in the second gate 13 located lower than the first gate 12 becomes higher than when the game ball B is not guided into the second gate guidance route 50.例文帳に追加

遊技球Bが第1ゲート12の調整釘10A,10Bに当たって第1ゲート12に入賞せずに、第2ゲート誘導経路50に導入された場合、第2ゲート誘導経路50に遊技球Bが導入されない場合よりも、第1ゲート12よりも下方に位置する第2ゲート13に遊技球Bが入賞する可能性が高くなる。 - 特許庁

When the disconnection failure has occurred, the gate signal B is not influenced by the gate capacitor 27, rapidly becomes large without causing a delay, and when the timer signal D is in a Hi-level, the gate signal reaches the reference voltage V_ref.例文帳に追加

一方、断線故障が発生している場合、ゲート信号Bは、ゲートコンデンサ27の影響を受けず、遅れを発生せず急速に大きくなり、タイマ信号DがHiレベルにあるときに、基準電圧V_refに達する。 - 特許庁

By setting the gate the thickness equal to 2×(a+b+c+d) or larger than at this time, even when scale deviation/dimensional deviation occurs, the resist end part is not detached from a gate part and does not conceal a level difference part.例文帳に追加

このときゲート太さを2×(a+b+c+d)以上の太さにすることにより、目ずれ・寸法ずれが起きても、レジスト端部がゲート部から外れて、段差部を隠すことがない。 - 特許庁

A gate output determination part 71 determines whether one of the gate drivers 30a and 30b is faulty or not based on output timing of gate signals Gout_A and Gout_B outputted from the gate drivers 30a and 30b.例文帳に追加

ゲート出力判定部71は、ゲートドライバ30a・30bのうちの一方が故障しているか否かを、ゲートドライバ30a・30bから出力されるゲート信号Gout_A・Gout_Bの出力タイミングに基づいて判定する。 - 特許庁

例文

In the manufacturing method, a cathode electrode 2, an insulation layer 4 and a gate electrode 5 are laminated on a substrate 1, polymers A, B which are not dissolved with each other are dissolved in a solvent and coated on a surface of the gate electrode.例文帳に追加

基板1上にカソード電極2と絶縁層4とゲート電極5を重ね、互いに溶け合わないポリマーA,Bを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。 - 特許庁

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「A and not B gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

An XOR circuit 30 determines whether an output of a positive logic gate circuit 10 which selects one of logic signals A, B and an output of a negative logic gate circuit 20 which selects one of inverses A_, B_ of the signals are matched or not.例文帳に追加

論理信号A,Bの一方を選択する正論理ゲート回路10の出力と、その反転信号Aバー,Bバーの一方を選択する負論理ゲート回路20の出力とが一致するか否かをXOR回路30で判定する。 - 特許庁

This stopping material for the tapping gate of the blast furnace contains a novolac type phenol resin (A) having a residual phenol reduced to not higher than 1 wt% and a number average molecular weight by GPC of 400-1,000, and a fire resistant aggregate (B).例文帳に追加

高炉出銑孔用閉塞材は、残留フェノール量を1重量%以下まで低減した、GPCによる数平均分子量が400〜1000のノボラック型フェノール樹脂(A)を含有し、更に、耐火性骨材(B)を含有する。 - 特許庁

A boosting circuit 2 raises a supply voltage +B given to a node N1, and the raised voltage is not only dropped and adjusted by a voltage adjustment circuit 4 with respect to DC but also applied to a gate electrode of a n-channel MOS transistor Tr1 through a low pass filter circuit LPF.例文帳に追加

昇圧回路2が、ノードN1に与えられる電源電圧+Bを昇圧して電圧調整回路4により直流的に降圧調整されると共にローパスフィルタ回路LPFを通じてnチャネル型のMOSトランジスタTr1のゲート電極に電圧が印加される。 - 特許庁

As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.例文帳に追加

このため、図2(b)〜(h)の製造工程図に示す通り、半導体層4と第二アンダーコート絶縁膜3との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁

例文

When signal charges are transferred to a horizontal register 25 only from a vertical register 24 in the row B, driving pulses ΦV7 are set in "H", and a potential just under the vertical-gate electrode 27f in the row A is maintained at the potential, at which storage charges are not transferred.例文帳に追加

そして、B列の垂直レジスタ24のみから水平レジスタ25に信号電荷を転送する場合には、駆動パルスΦV7を「H」にして、A列の垂直ゲート電極27f直下のポテンシャルを蓄積電荷が転送されないポテンシャルに維持させる。 - 特許庁

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