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As shown in Figure Nとは 意味・読み方・使い方
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「As shown in Figure N」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
In the IDE, choose File New Project (Ctrl-Shift-N), as shown in the figure below.発音を聞く 例文帳に追加
次の図に示すように、「ファイル」「新規プロジェクト」(Ctrl-Shift-N) を選択します。 - NetBeans
A gain G(n) is the product of the G_Buf(n) and the G_Intra(n) and means one point on a three-dimensional curved face as shown in Figure.例文帳に追加
ゲインG(n)は、G_Buf(n)とG_Intra(n)の積であり、図5に示すような3次元曲面上の一点を意味する。 - 特許庁
As shown in Figure, a p-layer can be formed before doping an n-layer.例文帳に追加
また、図4中で示すように、n層をドーピングする前にp層を作成することも考えられる。 - 特許庁
The permanent magnets 9 and 10 shown in Figure are all so arranged as to set their S poles above their N poles.例文帳に追加
この図に示した永久磁石9、10は、共にS極が上方でN極が下方となるように配置されている。 - 特許庁
As shown in a left part of Figure, a p^--type semiconductor is used for a substrate (1) and then an n^+-layer (3) is formed by doping.例文帳に追加
図4左に示すように、基板(1)にp−型半導体を用い、n+層(3)のドーピングを行う。 - 特許庁
To provide a tilt control device capable of damping the revolution speed n of a motor or the vibration of external force F in a short time as far as possible as shown in Figure 7 even if the external force vibrates.例文帳に追加
本発明はこのように外力に振動が生じても、図7に示すごとく、でき得る限りモータの回転数n又は外力Fの振動を短時間で減衰させることのできる傾転制御装置を提供する。 - 特許庁
Power assigned to a tone equivalent to part of a higher noise at a receiver side, as shown in solid lines (a) in Figure 4, is assigned to a tone equivalent to part of a smaller noise at the receiver side so as to enhance the S/N ratio at the part of the small noise shown in solid lines (b).例文帳に追加
図4における(a)の実線に示されるように受信側でノイズの大きい部分に相当するトーンに割り当てていた電力を受信側でノイズの小さい部分に相当するトーンに割り当てて、(b)の実線に示されるようにノイズの小さい部分のS/N比を改善する。 - 特許庁
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「As shown in Figure N」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
As shown in the figure, however, single-pole magnetic charge having only either N or S pole has the reverse combination of the directions of the magnetic fluxes on the upper and the bottom surfaces in the magnetic flux in one direction.例文帳に追加
しかし、図1のように、NまたはSのいずれか一方の極のみを持つ単極の磁荷は、一方向の磁束中において、上の面と下の面で磁束の向きの組み合わせが逆になる。 - 特許庁
When the voltage at the point P becomes higher than that at the base terminal of the transistor T1 for driving, a current flows in a direction C as shown in the figure through the N type MOS switch 11.例文帳に追加
P点の電圧が駆動用トランジスタT1のベース端子よりも高くなると、N型MOSスイッチ11を介して図示のC方向に電流が流れる。 - 特許庁
Input data, in which there are N kinds of data (from D1 to DN) and each of them is time-division multiplexed, are input to a data processor, as shown in Figure 2 (A).例文帳に追加
データ処理装置には、図2(A)に示すような、N種類のデータD1乃至DNがそれぞれ時分割多重された入力データが入力される。 - 特許庁
A structure shown in Figure (d) is obtained by carrying out a process of forming a concave part 6c on a main face side of an n-type silicon board as a conductive board.例文帳に追加
導電性基板であるn形シリコン基板1の主表面側に凹部6cを形成する加工工程を行うことで図1(d)に示す構造を得る。 - 特許庁
To solve such problems in an inspection method that the service life of a probe N is shortened by scrubbing and that yield of a device is reduced by damaging the inspection electrode P as shown in (b) of figure 7 when the probe N is brought into contact with an inspection electrode P electrically by scrubbing operation.例文帳に追加
スクラブ操作によりプローブNと検査用電極Pを電気的に接触させると、スクラブによりプローブNの寿命を縮めたり、図7の(b)に示すように検査用電極Pを傷つけてデバイスの歩留りを低下させる。 - 特許庁
Etching is carried out, then the photoresist is removed, as shown in Figure (a), a polysilicon plug 11 is left only between the gate electrodes 6 each provided with the gate electrode cover nitride film 5 in the region 12 with the n-type diffusion layer.例文帳に追加
エッチングを行いフォトレジストを除去すると、(a)に示すように、n型拡散層を有する領域12内にゲート電極カバー窒化膜5を有するゲート電極6の間にのみポリシリコンプラグ11を形成するポリシリコンが残る。 - 特許庁
A microcomputer 10 waits for an input by the drag operation from a touch panel 110 (step S4, N), and, if the drag operation is inputted (step S4, Y), it eliminates the display of a "return button" 404 to change to display contents as shown in Figure (b).例文帳に追加
マイコン10は、タッチパネル110から、ドラック操作による操作が入力されることを待ち(ステップS4のN)、ドラッグ操作が入力された場合(ステップS4のY)には、「戻るボタン」404の表示を消去し、図4(b)のような表示内容とする。 - 特許庁
For the cold cathode electrode 10, as shown in the figure (b), a strong electric field drift layer 6 composed of an oxidized porous polycrystalline silicon layer is formed on the main surface side of an n-type silicon substrate 1, and a surface electrode 7 is formed on the strong electric field drift layer 6.例文帳に追加
冷陰極10は、図1(b)に示すように、n形シリコン基板1の主表面側に酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる強電界ドリフト層6が形成され、強電界ドリフト層6上に表面電極7が形成されている。 - 特許庁
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