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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > B-doped diamondの意味・解説 

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Weblio専門用語対訳辞書での「B-doped diamond」の意味

B-doped diamond

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。


「B-doped diamond」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

A B-doped diamond layer 2 is formed on a first undoped diamond layer 1.例文帳に追加

第1のアンドープダイヤモンド層1上にBドープダイヤモンド層2を形成する。 - 特許庁

To provide an impurity doped diamond in which B, P, S, N and O are doped at high efficiency in high concentration.例文帳に追加

B、P、S、N、Oが高効率でダイヤモンドに高濃度でドーピングされた不純物ドープダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

Between the heavily doped diamond layers 2 and 3, a diamond layer 4 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer, a diamond layer 6 doped with B and becoming a gate, and a diamond layer 5 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer are formed in this order.例文帳に追加

また、高ドープダイヤモンド層2と高ドープダイヤモンド層3との間には、極低濃度にBがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層4、Bがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層6、及び極低濃度にBがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層5をこの順に形成する。 - 特許庁

What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor.例文帳に追加

なお、第1のダイヤモンド層1は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第2のダイヤモンド層2には、例えばボロン(B)がドーピングされ、第2のダイヤモンド層2はp型半導体となっている。 - 特許庁

Then a hexagonal boron nitride layer 3 is formed on the B-doped diamond layer 2 as an insulating layer.例文帳に追加

その後、蒸着法により、このBドープダイヤモンド層2上に、絶縁層として六方晶窒化ホウ素層3を形成する。 - 特許庁

A B-doped diamond ultraviolet generation layer is formed on a low resistance conductive substrate 1 by a plasma CVD method or the like.例文帳に追加

低抵抗導電性基板1上に、プラズマCVD法等により、紫外線発生層であるBドープダイヤモンド層2を形成する。 - 特許庁

例文

A superconductive diamond film 4 is laminated on the lower diamond film 2 and doped with boron with high concentration, wherein for example the atomic ratio of boron B to carbon C (B/C) is set at 5.0% or above.例文帳に追加

また、超伝導ダイヤモンド膜4は、下層ダイヤモンド膜2上に積層され、ホウ素が高濃度に、例えば、ホウ素(B)と炭素(C)との原子数比(B/C)が、5.0%以上にドーピングされている。 - 特許庁

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「B-doped diamond」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

Further, low-resistance B-doped diamond layers 3a and 3b having lower resistance than the diamond layer 2 has are formed on electrode parts 2a and 2b of the diamond layer 2 while signal tapping electrodes are formed out of metal, respectively, on the diamond layers 3a and 3b.例文帳に追加

また、Bドープダイヤモンド層2の電極部2a及び2b上には、夫々Bドープダイヤモンド層2よりも低抵抗の低抵抗Bドープダイヤモンド層3a及び3bを形成し、この低抵抗Bドープダイヤモンド層3a及び3b上には、夫々金属により信号取り出し用電極を形成する。 - 特許庁

On a diamond substrate 1, diamond layers 2 and 3 doped heavily with B and becoming the source and drain, respectively, are formed locally.例文帳に追加

ダイヤモンド基板1上に、高濃度にBがドープされ夫々ソース及びドレインとなる高ドープダイヤモンド層2及び3を局所的に形成する。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板1上に、高濃度Bドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層2a及び2bを形成する。 - 特許庁

In the ultraviolet light emitting element 10, negative voltage is applied to the electrode 4 from an external power supply, and positive voltage is applied to the conductive substrate 1, so that ultraviolet light is emitted on the B-doped diamond layer 2.例文帳に追加

この紫外線発光素子10は、外部電源から電極4に負の電圧が印加される共に、導電性基板1に正の電圧が印加され、これにより、Bドープダイヤモンド層2において紫外線発光が生じる。 - 特許庁

To provide superconductive diamond laminated film which is equipped with a (111) crystal plane on its surface, doped with B with high concentration, and equipped with outstanding superconductivity properties, and to provide a device and a manufacturing method.例文帳に追加

表面に(111)結晶面が存在すると共にBが高濃度でドープされ、優れた超伝導特性を有する超伝導ダイヤモンド積層膜、デバイス及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The microchip capable of performing the analysis of a high-accuracy chemical reaction because of high durability even under high-temperature and highly corrosive conditions is obtained by using single-crystal diamond or polycrystalline diamond as the material therefor, laying a cover on the reaction zone, and forming a B-doped area in the diamond to allow localized heating.例文帳に追加

化学反応用マイクロチップの材質として単結晶ダイヤモンドもしくは多結晶ダイヤモンドを用い、更に反応部に蓋をし、更にダイヤモンド内にBドープ部分を設けることにより局所的な加熱を可能とすることにより、高温、強腐食環境でも耐久性が高く精度の良い化学反応の分析が可能なマイクロチップを提供する。 - 特許庁

例文

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, B(OC_2H_5) gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of boron and the diamond film doped with boron is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas.例文帳に追加

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてB(OC_2H_5)_3ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にボロンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。 - 特許庁

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