Charge transfer devicesとは 意味・読み方・使い方

The respective call controllers 101 and 102 and 103 are individually provided with transfer devices 110, 111 and 112 for transferring the charging data to a charge center.例文帳に追加

各呼制御装置１０１，１０２，１０３には、個別に、課金データを料金センターに転送する転送装置１１０，１１１，１１２を具備した。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus is provided with at least one pixel, and each pixel is provided with photoelectric conversion devices and an electric charge detecting unit each of which is separated by a transfer gate.例文帳に追加

固体撮像装置は、少なくとも１つの画素を備え、該画素はトランスファゲートでそれぞれ分離された光電変換素子と電荷検出部とを備える。 - 特許庁

To provide a novel material which is easily synthesizable, has a high charge transfer property and is used for a semiconductor charge transfer material which forms a thin film and a large-area film for semiconductor devices.例文帳に追加

合成するのが容易であり、高い電荷移動性を有し、容易に加工可能であって、半導体装置において用いるための薄膜および大面積フィルムを形成する、半導体または電荷移動材料として用いるための新規な材料を提供する。 - 特許庁

This invention further relates to methods for producing them, and uses thereof as semiconductor or charge transfer materials in an optical, electro-optical, or electronic devices including field effect transistors and electroluminescent, photovoltaic and sensor devices.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

The method for producing them and their uses as the semiconductor or electric charge transfer material in optical, electro-optical or electronic devices including an electric field effect transistor, and electroluminescent, photovoltanic and sensor devices are provided.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

The invention further relates to methods for their production and their use as semiconductors or charge transfer materials in optical, electrooptical or electronic devices including field effect transistors, electroluminescent, photovoltaic and sensor devices.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサー装置を含む、光学的、電気光学的または電子装置における半導体または電荷移動材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

To provide an amplifier for charge transfer devices and a solid-state imaging element, capable of preventing the charge detection sensitivity of an amplifier from decreasing, by preventing an impurity diffusion layer from being formed on a semiconductor substrate where a floating diffusion amplifier has been formed.例文帳に追加

フローティングディフュージョンアンプを形成した半導体基板に不純物拡散層が形成されることを防止することで、アンプの電荷検出感度の低下を防止できる電荷転送素子用アンプ及び固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

A method for driving imaging device is applied to a CCD-type solid-state imaging device in which vertical transfer parts 22 arranged along vertical rows of a plurality of light receiving devices arranged vertically and horizontally read charges accumulated in the adjacent light receiving devices 21, and transfer the read charge in the vertical direction.例文帳に追加

垂直方向及び水平方向に複数配置した受光素子の垂直方向の列に沿って配置された垂直転送部２２で、隣接した受光素子２１に蓄積した電荷を読み出すと共に、その読み出した電荷を垂直方向に転送する垂直転送処理を行う撮像装置に適用される。 - 特許庁