Complementary Metal Oxide Semiconductor sensorとは 意味・読み方・使い方

To provide a circular chip fingerprint recognition sensor which uses a CMOS(complementary metal oxide film semiconductor) and a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）センサーを用いた円チップ指紋認識センサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide technology obtaining characteristic information of a photodiode cell constituting a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor in a TEG (test element group) cell.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを構成するフォトダイオードセルの特性情報をＴＥＧセルにおいて得ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

In a column A/D type CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, processing for correcting dark currents of pixels is performed.例文帳に追加

例えば、カラムAD方式のCMOSイメージセンサにおいて、画素の暗電流を補正するための処理が行われる。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor image sensor that can prevent the photoresponse from lowering because of its low temperature insulating protection film for protecting micro lens.例文帳に追加

マイクロレンズを保護するための低温絶縁保護膜に起因する光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

To accelerate AD conversion processing in a CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) image sensor adopting a single slope integrated AD conversion system.例文帳に追加

シングルスロープ積分型のＡＤ変換方式を採用したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、ＡＤ変換処理の高速化を図る。 - 特許庁

To provide a circuit for remarkably reducing a low frequency noise in a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) active pixel sensor (APS) imaging system.例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）型アクティブ画素センサ（ＡＰＳ）撮像方式において低周波数ノイズを著しく低減する回路を提供する。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor in which signal to noise ratio can be improved and image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

信号対雑音比を向上させ、イメージラグ現象を減少させることができる相補性金属酸化膜半導体アクティブピクセルセンサを提供する。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁