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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > Deep End (film)の意味・解説 

Deep End (film)とは 意味・読み方・使い方

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ウィキペディア英語版での「Deep End (film)」の意味

Deep End (film)

出典:『Wikipedia』 (2011/05/08 06:54 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用

「Deep End (film)」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



例文

To provide a coated small diametrical tool improved in shape precision and breakage resistance by restraining deflection of the tool more than or the same as one applied with a hard film on a tapered neck end mill, in deep-engraving using a straight neck end mill, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ストレートネックエンドミルを用いた深彫り加工で、テーパネックエンドミルに硬質皮膜を施したものと同等以上に工具のたわみを抑制し、形状精度の向上並びに耐折損性改善を可能にする被覆小径工具、及び、その製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor drum, a laminated metal sheet coated with the organic coating film is subjected to a deep-drawing and ironing treatment to obtain a formed body thereafter, parts near the opening end face and the bottom part of the formed body are trimmed to obtain the electrophotographic photoreceptor drum in which the organic film is formed on its base body.例文帳に追加

電子写真用感光ドラムにおいて、有機被膜を被覆した積層金属板を絞り−しごき加工して絞り−しごき成形体とした後に、上記絞り−しごき成形体の開口端面と底部の近傍部をトリムし、基体表面に有機被膜を設けた電子写真用感光ドラムとする。 - 特許庁

To make a Zn diffusion position deep from a ZnO/SiO2 film, to the extent in which the COD tolerance of a laser end surface window structure can be made larger than conventional, as to a manufacturing method for a compound semiconductor device which includes the process of diffusing zinc into a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層への亜鉛拡散工程を含む化合物半導体装置の製造方法に関し、レーザ端面窓構造のCOD耐量を従来よりも大きくすることができる程度にZnO/SiO_2膜からのZn拡散位置を深くすること。 - 特許庁

In the powder coating, the so-called electrostatic powder coating is applied and a coating surface having a uniform film thick free from unevenness is formed by moving the nozzle 10 back and forth from the tube end part 3b of the socket 3 side to the deep part 3c of the socket 3.例文帳に追加

粉体塗装を行うに際し、いわゆる静電粉体塗装を採用するとともに、粉体塗装用のノズル10を、受口3側の管端部3bからその受口3の奥部3cまでを往復させることで、むらの少ない均等な膜厚の塗装面が形成されることが確認できた。 - 特許庁

例文

The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV.例文帳に追加

本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの2p軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が1.2eV以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。 - 特許庁

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