ELECTRIC PUNCHとは 意味・読み方・使い方

The biting into of the electric wires between the side faces of a die groove section 80a of the first press die 8 and the punch-projecting section 91a is also prevented, by making a clearance between the side faces of the die groove section 80a of the first press die 8 and the punch projecting section 91a smaller than the diameter of the electric wires.例文帳に追加

また、第１のプレス金型８のダイ溝部８０ａとパンチ突部９１ａとの側面間のクリアランスを電線の直径より小さくすることで、該側面間への電線の噛み込みも防止される。 - 特許庁

A punch 6a whose sectional form is of the said through pattern is formed by feeding a punch material 6 into a shape material 1a while the electric discharge machining is executed.例文帳に追加

型電極１ａに対してパンチ材料６を放電加工しながら送り込むことにより前記貫通パターンを断面形状とするパンチ６ａを形成する。 - 特許庁

The sintered metal formed body 15 stored in a sizing die 5 is disposed between an upper punch 4 and a lower punch 3 of a pressing apparatus, a core rod 7 rotated by an electric motor 12 is inserted in the circular hole part of the sintered metal formed body 15, and the metal formed body 15 is pressed by the upper punch 4 and the lower punch 3.例文帳に追加

加圧装置の上パンチと４下パンチ３とのの間にサイジング用型５に収納した焼結金属成形体１５を配置し、電動モータ１２により回転させたコアロッド７を焼結金属成形体１５の円孔部に挿入して、金属成形体１５を上パンチと４下パンチ３とにより加圧圧縮する。 - 特許庁

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極１０３と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層１０７Ａ、１０７Ｂとパンチスルーストッパー層１０８を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、Ｎ型パンチスルーストッパー層１０８の表面に、このパンチスルーストッパー層１０８とは反対導電型のＰ型層１１０を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

Between a punch-through stopper layer 7 and an n-type semiconductor region 2D forming a drain of a memory cell MC, an n- type semiconductor region 8 whose impurity concentration is substantially lower than the n-type semiconductor region 2D is provided, to relax the electric field at a junction of the punch-through stopper layer 7.例文帳に追加

メモリセルＭＣのドレインを形成するｎ型半導体領域２Ｄとパンチスルーストッパ層７との間に、ｎ型半導体領域２Ｄより実質的に不純物濃度の低いｎ^-型半導体領域８を設けることにより、パンチスルーストッパ層７の接合部の電界を緩和させる。 - 特許庁

An electric field for opening a punch hole on the cell surface is impressed on the reaction field into which a sample solution including cells and magnetized fine particles are introduced and a magnetic field is applied to the reaction field in order to introduce the magnetic fine particles through the punch hole.例文帳に追加

本発明は、細胞を含む試料溶液と磁性を有する微粒子が導入されている反応場に細胞表面に穿孔を開けるための電界を印可し、その穿孔より磁性を有する微粒子を細胞内へ導入するため反応場に磁界を印可することにより達成する。 - 特許庁

In this electric carpet 1 composed of a surface material 2, wiring cloth 3, and a heat insulating material 4, an aluminum sheet 5 is stacked on a surface of upper fiber needle punch nonwoven fabric 7 or lower fiber needle punch nonwoven fabric 8 constituting the wiring cloth 3 by needle punching processing.例文帳に追加

表面材２と、配線布３と、断熱材4からなる電気カーペット１において、アルミシート５をニードルパンチ加工によって、配線布３を構成する上生地ニードルパンチ不織布７または下生地ニードルパンチ不織布８の表面に積層した。 - 特許庁

A stripper plate 6 positioned closely to a work W corresponding to a thickness of the work W, pulls out the punch P from the work W in rising without pressing the work W, and the punching driving force of an electric motor 4 is transmitted to a movable die 5 holding the punch P.例文帳に追加

ワークＷの厚みに合せて接近して位置させたストリッパプレート６が、ワークＷを押圧せずに上昇時のパンチＰをワークＷから引抜き、電動モータ４の打動駆動力を、パンチＰを保持する可動型５に伝達する。 - 特許庁