FAR ULTRAVIOLET RAYとは 意味・読み方・使い方

To provide a chemical amplifying resist material that provides high resolution and storage stability, and is useful for microfabrication using an electron ray, a far-ultraviolet ray, and an extreme ultraviolet ray.例文帳に追加

高い解像性と良好な保存安定性を与え、電子線、遠紫外線、極紫外線などを用いた微細加工に有用な化学増幅レジスト材料の提供。 - 特許庁

To effectively and easily shield ultraviolet rays, near infrared rays of 800 to 1200 nm and far infrared rays in an ultraviolet ray and infrared ray shielding body.例文帳に追加

紫外線・赤外線遮蔽体において、紫外線、８００〜１２００ｎｍの近赤外線及び遠赤外線とを有効にかつ容易に遮蔽することができること。 - 特許庁

A space 30 for passing exposure light of far ultraviolet ray or the like is surrounded by the purge chamber 8.例文帳に追加

遠紫外光等の露光光が通過する空間３０がパージチャンバ８によって取り囲まれている。 - 特許庁

Moreover, the wavelength of the ultraviolet ray including the far ultraviolet region used is 200 to 365 nm, and the dose is 50 to 100 mJ/cm2 at the wavelength of 254 nm per film thickness of lens material of 1 μm.例文帳に追加

また、用いる遠紫外域を含む紫外光の波長が２００〜３６５ｎｍ、その照射量がレンズ材料の膜厚１μｍ当たり、波長２５４ｎｍにおいて５０〜１００ｍＪ／ｃｍ^2であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a practical element or device emitting high-strength far-ultraviolet-ray, with the use of high-purity hexagonal boron nitride single crystal emitting high-strength short wave-length ultraviolet rays, reflecting inherent characteristics completely free from effect of impurities.例文帳に追加

不純物の影響を全く受けない、固有の特性を反映した高輝度短波長紫外線発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶を利用し、高輝度深紫外光発光する具体的素子ないし装置を提供する。 - 特許庁

So that non-image exposure light which does not contribute to image exposure in the far ultraviolet ray emitted by the light source 20, i.e., leak light does not leak out of the image exposing device 10, a far ultraviolet light absorbing member 36 is provided on the inner peripheral surfaces of a casing 30 and a housing 34.例文帳に追加

光源２０から出射される遠紫外光の内、画像露光に寄与しない非画像露光光、すなわち漏れ光を、画像露光装置１０から外部に漏らさないように、ケーシング３０及び筐体３４の内周面に遠紫外光吸収部材３６を設けた。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition for exposure to a far ultraviolet ray in which bridging for forming a developing defect or particularly line pattern and a trench pattern is reduced so as to perform a subject in a technique for improving an original performance of a microphotofabrication used for a far ultraviolet ray or particularly an ArF excimer laser beam.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist composition including a copolymer for photoresist usable in far ultraviolet ray region, excellent in post exposure delay stability.例文帳に追加

遠紫外線領域で用いることができ、露光後熱処理遅延安定性に優れたフォトレジスト用共重合体含むフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁